[发明专利]一种LED芯片的制备方法及LED芯片

权利要求书

1.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成反射层；

在所述反射层上形成外延层，所述外延层包括依次形成于所述反射层上的N型层、发光层和P型层；

在所述P型层上形成窗口层；

在所述窗口层上形成金属薄膜层，所述金属薄膜呈颗粒状，相邻颗粒之间存在间隙；

透过所述金属薄膜层的所述间隙蚀刻所述窗口层后，去除所述金属薄膜层，使得所述窗口层上表面形成粗化深度小于设定值的粗化面；

在所述窗口层上形成导电增透膜；

在所述导电增透膜上形成P型电极层，在所述衬底背面形成N型电极层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述P型层上形成窗口层，包括：

在所述P型层上形成磷化镓掺杂层；

所述粗化面呈锥形。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述窗口层和所述金属薄膜层之间形成介质膜层；

透过所述金属薄膜层的所述间隙蚀刻所述窗口层后，去除所述金属薄膜层，使得所述窗口层上表面形成粗化深度小于设定值的粗化面，包括：

透过所述金属薄膜层的所述间隙蚀刻所述介质膜层以及粗化深度的窗口层后，使得所述窗口层上表面形成粗化深度小于设定值的粗化面，所述粗化面呈柱形；

去除所述金属薄膜层以及所述介质膜层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述使得所述窗口层上表面形成粗化深度小于设定值的粗化面后，在所述窗口层上形成导电增透膜之前，所述方法还包括：

对位于所述粗化面中心的设定区域进行蚀刻至设定深度，使得所述窗口层形成位于第一凹槽区域。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述窗口层上形成导电增透膜，包括：

在具有第一凹槽区域的窗口层上形成导电增透膜，使得所述导电增透膜具有与所述第一凹槽区域对应的第二凹槽区域；

在所述导电增透膜上形成电极层，包括：

在所述第二凹槽区域上形成所述P型电极层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包括：

所述金属薄膜层的厚度为3-5nm。

7.一种LED芯片，其特征在于，包括：包括衬底、形成于所述衬底上的反射层、形成于所述反射层上的外延层、形成于所述外延层上的窗口层、形成于所述窗口层上的导电增透膜、形成于所述增透膜上的P型电极层以及形成于所述衬底背面的N型电极层；

所述外延层包括依次形成于所述反射层上的N型层、发光层和P型层；

所述窗口层形成于所述P型层上，所述窗口层上表面形成粗化深度小于设定值的粗化面；所述粗化面是通过在所述窗口层上形成呈颗粒状且相邻颗粒之间存在间隙的金属薄膜层，透过所述金属薄膜层的所述间隙蚀刻所述粗化深度的窗口层后，去除所述金属薄膜层得到的。

8.根据权利要求7所述的LED芯片，其特征在于，所述窗口层包括位于所述粗化面中心的第一凹槽区域。

9.根据权利要求8所述的LED芯片，其特征在于，所述导电增透膜具有与所述第一凹槽区域对应的第二凹槽区域，所述P型电极层形成于所述第二凹槽区域上。

10.根据权利要求7所述的LED芯片，其特征在于，所述粗化面呈锥形或者圆柱形。