[发明专利]红外光探测器及其制作方法

权利要求书

1.一种红外光探测器，其特征在于，包括：第一电极（A）、多个第二电极（B）、P型衬底（1）以及依序叠层于所述P型衬底（1）的第一表面上的P型超晶格吸收层（2）、P型超晶格势垒层（3）和超晶格接触层（4），所述超晶格接触层（4）包括彼此独立的多个N型超晶格接触部（4a）和包围各个所述N型超晶格接触部（4a）的P型超晶格隔离部（4b），所述第一电极（A）设置于所述P型衬底（1）的与所述第一表面相对的第二表面上，多个所述第二电极（B）彼此独立，每个所述N型超晶格接触部（4a）上设置对应的一个所述第二电极（B）；

其中，所述P型超晶格吸收层（2）的材料为掺杂Zn或Be的P型InAs/GaSb超晶格或InAs/InAsSb超晶格；

其中，所述P型超晶格势垒层（3）的材料为掺杂Zn或Be的P型InAsP/InAsSb超晶格；

其中，所述N型超晶格接触部（4a）的材料为掺杂Si的N型InAsP/InAsSb超晶格。

2.根据权利要求1所述的红外光探测器，其特征在于，所述P型超晶格势垒层（3）和所述N型超晶格接触部（4a）的有效带宽大于所述P型超晶格吸收层（2）的有效带宽。

3.一种红外光探测器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在P型衬底（1）的第一表面上形成依序叠层的P型超晶格吸收层（2）、P型超晶格势垒层（3）和超晶格接触层（4），所述超晶格接触层（4）为掺杂Si的N型InAsP/InAsSb超晶格；

对所述超晶格接触层（4）进行掺杂处理，以形成彼此独立的多个N型超晶格接触部（4a）和包围各个所述N型超晶格接触部（4a）的P型超晶格隔离部（4b）；

在每个所述N型超晶格接触部（4a）上形成对应的第二电极（B）；

在所述P型衬底（1）的与所述第一表面相对的第二表面上形成第一电极（A）；

其中，所述P型超晶格吸收层（2）的材料为掺杂Zn或Be的P型InAs/GaSb超晶格或InAs/InAsSb超晶格；

其中，所述P型超晶格势垒层（3）的材料为掺杂Zn或Be的P型InAsP/InAsSb超晶格；

其中，所述N型超晶格接触部（4a）的材料为掺杂Si的N型InAsP/InAsSb超晶格。

4.根据权利要求3所述的红外光探测器的制作方法，其特征在于，对所述超晶格接触层（4）进行掺杂处理的方法包括：

在所述超晶格接触层（4）上形成彼此独立的多个掩盖部（5）；

对所述超晶格接触层（4）的未被所述掩盖部（5）掩盖的部分进行P型掺杂以形成所述P型超晶格隔离部（4b），其中，所述超晶格接触层（4）的被所述掩盖部（5）掩盖的部分形成所述N型超晶格接触部（4a）；

将所述掩盖部（5）去除。

5.根据权利要求4所述的红外光探测器的制作方法，其特征在于，在所述超晶格接触层（4）上形成彼此独立的多个掩盖部（5）的方法包括：

在所述超晶格接触层（4）上形成掩膜层（Y）；

对所述掩膜层（Y）进行曝光、显影、刻蚀处理，以形成多个掩盖部（5）。

6.根据权利要求3所述的红外光探测器的制作方法，其特征在于，所述P型超晶格势垒层（3）和所述N型超晶格接触部（4a）的有效带宽大于所述P型超晶格吸收层（2）的有效带宽。