[发明专利]一种集氮化物柔性衬底构建与外延的一体化系统在审
| 申请号： | 201811274849.2 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109360798A | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 黎大兵;贾玉萍;孙晓娟;蒋科;石芝铭;刘贺男;贲建伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人： | 刘微 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生长腔室 衬底 二维材料 一体化系统 氮化物 外延层 构建 半导体材料生长 预处理 氮化物外延层 外界环境污染 衬底表面 外延生长 真空环境 氢气 腔室 去除 连通 匹配 污染物 损伤 互联 传递 保证 | ||
1.一种集氮化物柔性衬底构建与外延的一体化系统，其特征在于，包括以下部分：
二维材料生长腔室，用于提供满足二维材料衬底层的生长的真空环境；
外延层生长腔室，用于提供满足氮化物外延层的生长的真空环境；
以及连通二维材料生长腔室和外延层生长腔室的真空互联腔室，用于将二维材料衬底由二维材料生长腔室真空传递至外延层生长腔室，其真空度与二维材料生长腔室和外延层生长腔室相匹配。
2.根据权利要求1所述的集氮化物柔性衬底构建与外延的一体化系统，其特征在于，二维材料生长腔室内安置有第一加热系统和第一样品台，第一样品台位于第一加热系统的上方。
3.根据权利要求2所述的集氮化物柔性衬底构建与外延的一体化系统，其特征在于，所述第一加热系统为石墨加热平台或钨加热平台，加热温度最高为2000℃。
4.根据权利要求2所述的集氮化物柔性衬底构建与外延的一体化系统，其特征在于，第一样品台为石墨样品台。
5.根据权利要求1所述的集氮化物柔性衬底构建与外延的一体化系统，其特征在于，外延层生长腔室内安置有第二加热系统和第二样品台，第二样品台位于第二加热系统的上方。
6.根据权利要求5所述的集氮化物柔性衬底构建与外延的一体化系统，其特征在于，所述第二加热系统为石墨加热平台或钨加热平台，加热温度最高为1800℃。
7.根据权利要求5所述的集氮化物柔性衬底构建与外延的一体化系统，其特征在于，第二样品台为石墨样品台。
8.根据权利要求1所述的集氮化物柔性衬底构建与外延的一体化系统，其特征在于，真空互联腔室内安置有机械传递装置，所述机械传递装置包括一个旋转台和两个固定于旋转台上的伸缩臂，旋转台的旋转角度为360°。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，未经中国科学院长春光学精密机械与物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811274849.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
