[发明专利]陪栅浮空型沟槽栅IGBT芯片

权利要求书

1.一种陪栅浮空型沟槽栅IGBT芯片，包括若干个相互并联的元胞，每个所述元胞包括依次排列的第一沟槽真栅、第二沟槽真栅及一个或多个沟槽陪栅，各沟槽真栅与栅极区相连，其特征在于，所述沟槽陪栅浮空设置。

2.根据权利要求1所述的陪栅浮空型沟槽栅IGBT芯片，其特征在于，各沟槽之间通过第一导电类型阱区隔离，所述第一沟槽真栅与第二沟槽真栅之间设置有发射极和源极，所述发射极和源极位于所述第一导电类型阱区内，所述发射极通过所述源极与第一导电类型阱区连接在一起，所述发射极和源极通过发射极金属层与外电路相连，在所述沟槽陪栅上方设置有介电层，所述沟槽陪栅通过所述介电层与所述发射极金属层及栅极区相隔离。

3.根据权利要求2所述的陪栅浮空型沟槽栅IGBT芯片，其特征在于，所述发射极分别位于邻近第一沟槽真栅和临近第二沟槽真栅的位置，所述源极位于所述发射极之间。

4.根据权利要求1至3任一项所述的陪栅浮空型沟槽栅IGBT芯片，其特征在于，各个沟槽的宽度相同，和/或，各个沟槽的深度相同。

5.根据权利要求4所述的陪栅浮空型沟槽栅IGBT芯片，其特征在于，所述沟槽与真栅栅极之间或沟槽与陪栅栅极之间设置有栅氧化层。

6.根据权利要求2或3所述的陪栅浮空型沟槽栅IGBT芯片，其特征在于，所述元胞还包括第二导电类型基区，沟槽栅形成于所述第二导电类型基区内部，所述第二导电类型基区下方设置有第一导电类型集电层，并通过集电极金属层和外电路连接。

7.根据权利要求6所述的陪栅浮空型沟槽栅IGBT芯片，其特征在于，所述元胞还包括第二导电类型缓冲层，所述第二导电类型缓冲层形成于所述第二导电类型基区与所述第一导电类型集电层之间或由形成于第二导电类型硅片上的外延层组成。

8.根据权利要求5所述的陪栅浮空型沟槽栅IGBT芯片，其特征在于，所述栅氧化层的厚度为1000～1300埃。

9.根据权利要求4所述的陪栅浮空型沟槽栅IGBT芯片，其特征在于，所述沟槽深度为3～7微米。

10.根据权利要求6或7所述的陪栅浮空型沟槽栅IGBT芯片，其特征在于，在所述第一导电类型阱区和所述第二导电类型基区之间还设置有第二导电类型阱区。