[发明专利]IGBT结温监控方法、装置及计算机设备有效
申请号: | 201811275513.8 | 申请日: | 2018-10-23 |
公开(公告)号: | CN109342914B | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
发明(设计)人: | 周斌;严伟;肖庆中;恩云飞;陈思;付兴 | 申请(专利权)人: | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 周清华 |
地址: | 511300 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | igbt 监控 方法 装置 计算机 设备 | ||
本发明涉及一种IGBT结温监控方法、装置及计算机设备,其中,IGBT结温监控方法包括以下步骤:获取与待测IGBT器件的集电极电流对应的饱和导通压降;集电极电流为加热大电流或恒定小电流;基于结温和饱和导通压降拟合曲面,获取对应饱和导通压降的当前结温;在当前结温小于设定结温时,增大输入待测IGBT器件的集电极的加热大电流;在当前结温大于设定结温,且未到达预设加热工作时间时,减小输入待测IGBT器件的集电极的加热大电流;在当前结温大于设定结温,且到达预设加热工作时间时,向待测IGBT器件的集电极输入恒定小电流,并冷却待测IGBT器件。本发明实施例能够实现对待测IGBT器件结温的实时监控,提高了IGBT结温监控精度,以及提高了IGBT结温监控可靠性。
技术领域
本发明涉及半导体器件测试技术领域,特别是涉及一种IGBT结温监控方法、装置及计算机设备。
背景技术
半导体器件的性能和寿命受温度影响很大,尤其是对于功率器件来说。功率器件在工作过程中受大功率影响,会产生大量的热量,引起器件温度的上升。IGBT是半导体功率器件的一种,在现代电力电子技术中有广泛运用。其应用特点要求IGBT不仅要经受外界环境温度的变化,还要在生命周期内能承受多次的功率循环。IGBT在开关状态工作时,通常承受着高电压和大电流,导致器件结温上升,如果超过最高结温限制,会影响模块的电学性能和工作寿命。结温是反映IGBT模块状态的一个重要参数,实现对IGBT结温的有效监测,可以实现IGBT的过温保护,以及降低器件失效的风险等。
在实现过程中,发明人发现传统技术中至少存在如下问题:传统的IGBT结温监控精度低,监控可靠性低。
发明内容
基于此,有必要针对传统的IGBT结温监控精度低,监控可靠性低的问题,提供一种IGBT结温监控方法、装置及计算机设备。
为了实现上述目的,本发明实施例提供了一种IGBT结温监控方法,包括以下步骤:
获取与待测IGBT器件的集电极电流对应的饱和导通压降;集电极电流为加热大电流或恒定小电流;
基于结温和饱和导通压降拟合曲面,获取对应饱和导通压降的当前结温;
在当前结温小于设定结温时,增大输入待测IGBT器件的集电极加热大电流;
在当前结温大于设定结温,且未到达预设加热工作时间时,减小输入待测IGBT器件的集电极的加热大电流;
在当前结温大于设定结温,且到达预设加热工作时间时,向待测IGBT器件的集电极输入恒定小电流,并冷却待测IGBT器件。
另一方面,本发明实施例还提供了一种IGBT结温监控装置,包括:
饱和导通压降获取单元,用于获取与待测IGBT器件的集电极电流对应的饱和导通压降;集电极电流为加热大电流或恒定小电流;
结温获取单元,用于基于结温和饱和导通压降拟合曲面,获取对应饱和导通压降的当前结温;
升温处理单元,用于在当前结温小于设定结温时,增大输入待测IGBT器件的集电极的加热大电流;
降温处理单元,用于在当前结温大于设定结温,且未到达预设加热工作时间时,减小输入待测IGBT器件的集电极的加热大电流;在当前结温大于设定结温,且到达预设加热工作时间时,向待测IGBT器件的集电极输入恒定小电流,并冷却待测IGBT器件。
另一方面,本发明实施例还提供了一种计算机设备,包括存储器和处理器,存储器存储有计算机程序,处理器执行计算机程序时实现上述任意一项IGBT结温监控方法的步骤。
另一方面,本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,计算机程序被处理器执行时实现上述任一项IGBT结温监控方法的步骤。
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