[发明专利]IGBT结温监控方法、装置及计算机设备有效

专利信息
申请号: 201811275513.8 申请日: 2018-10-23
公开(公告)号: CN109342914B 公开(公告)日: 2022-05-03
发明(设计)人: 周斌;严伟;肖庆中;恩云飞;陈思;付兴 申请(专利权)人: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 周清华
地址: 511300 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: igbt 监控 方法 装置 计算机 设备
【说明书】:

发明涉及一种IGBT结温监控方法、装置及计算机设备,其中,IGBT结温监控方法包括以下步骤:获取与待测IGBT器件的集电极电流对应的饱和导通压降;集电极电流为加热大电流或恒定小电流;基于结温和饱和导通压降拟合曲面,获取对应饱和导通压降的当前结温;在当前结温小于设定结温时,增大输入待测IGBT器件的集电极的加热大电流;在当前结温大于设定结温,且未到达预设加热工作时间时,减小输入待测IGBT器件的集电极的加热大电流;在当前结温大于设定结温,且到达预设加热工作时间时,向待测IGBT器件的集电极输入恒定小电流,并冷却待测IGBT器件。本发明实施例能够实现对待测IGBT器件结温的实时监控,提高了IGBT结温监控精度,以及提高了IGBT结温监控可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体器件测试技术领域,特别是涉及一种IGBT结温监控方法、装置及计算机设备。

背景技术

半导体器件的性能和寿命受温度影响很大,尤其是对于功率器件来说。功率器件在工作过程中受大功率影响,会产生大量的热量,引起器件温度的上升。IGBT是半导体功率器件的一种,在现代电力电子技术中有广泛运用。其应用特点要求IGBT不仅要经受外界环境温度的变化,还要在生命周期内能承受多次的功率循环。IGBT在开关状态工作时,通常承受着高电压和大电流,导致器件结温上升,如果超过最高结温限制,会影响模块的电学性能和工作寿命。结温是反映IGBT模块状态的一个重要参数,实现对IGBT结温的有效监测,可以实现IGBT的过温保护,以及降低器件失效的风险等。

在实现过程中,发明人发现传统技术中至少存在如下问题:传统的IGBT结温监控精度低,监控可靠性低。

发明内容

基于此,有必要针对传统的IGBT结温监控精度低,监控可靠性低的问题,提供一种IGBT结温监控方法、装置及计算机设备。

为了实现上述目的,本发明实施例提供了一种IGBT结温监控方法,包括以下步骤:

获取与待测IGBT器件的集电极电流对应的饱和导通压降;集电极电流为加热大电流或恒定小电流;

基于结温和饱和导通压降拟合曲面,获取对应饱和导通压降的当前结温;

在当前结温小于设定结温时,增大输入待测IGBT器件的集电极加热大电流;

在当前结温大于设定结温,且未到达预设加热工作时间时,减小输入待测IGBT器件的集电极的加热大电流;

在当前结温大于设定结温,且到达预设加热工作时间时,向待测IGBT器件的集电极输入恒定小电流,并冷却待测IGBT器件。

另一方面,本发明实施例还提供了一种IGBT结温监控装置,包括:

饱和导通压降获取单元,用于获取与待测IGBT器件的集电极电流对应的饱和导通压降;集电极电流为加热大电流或恒定小电流;

结温获取单元,用于基于结温和饱和导通压降拟合曲面,获取对应饱和导通压降的当前结温;

升温处理单元,用于在当前结温小于设定结温时,增大输入待测IGBT器件的集电极的加热大电流;

降温处理单元,用于在当前结温大于设定结温,且未到达预设加热工作时间时,减小输入待测IGBT器件的集电极的加热大电流;在当前结温大于设定结温,且到达预设加热工作时间时,向待测IGBT器件的集电极输入恒定小电流,并冷却待测IGBT器件。

另一方面,本发明实施例还提供了一种计算机设备,包括存储器和处理器,存储器存储有计算机程序,处理器执行计算机程序时实现上述任意一项IGBT结温监控方法的步骤。

另一方面,本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,计算机程序被处理器执行时实现上述任一项IGBT结温监控方法的步骤。

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