[发明专利]保护膜及其制造方法、保护装置、物体保护方法有效
| 申请号： | 201811275768.4 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109346431B | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 罗程远;薛金祥 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 刘小鹤 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 保护膜 及其 制造 方法 保护装置 物体 保护 | ||
1.一种保护膜，其特征在于，所述保护膜具有用于与待保护物粘接的目标表面，所述目标表面包括导电区域与粘性区域；
所述保护膜包括：叠加的导电层与具有粘性的辅助层，所述辅助层具有镂空，所述导电层中存在伸入所述镂空的目标导电部分，所述辅助层中远离所述导电层的表面形成所述粘性区域，所述目标导电部分的一个表面形成所述导电区域。
2.根据权利要求1所述的保护膜，其特征在于，所述辅助层远离所述导电层的表面具有多个凹槽。
3.根据权利要求1所述的保护膜，其特征在于，所述保护膜还包括：位于所述导电层远离所述辅助层一侧的凸台，所述凸台伸入所述镂空内。
4.根据权利要求1至3任一所述的保护膜，其特征在于，所述辅助层包括：叠加的胶层与除尘层，且所述除尘层位于所述胶层远离所述导电层的一侧。
5.根据权利要求1至3任一所述的保护膜，其特征在于，所述保护膜还包括：衬底，所述衬底位于所述导电层远离所述辅助层的一侧。
6.根据权利要求1至3任一所述的保护膜，其特征在于，所述保护膜还包括：贴附于所述目标表面的保护层。
7.一种保护装置，其特征在于，所述保护装置包括权利要求1至6任一所述的保护膜与电荷导出组件，所述电荷导出组件与所述保护膜的目标表面中的导电区域电连接。
8.一种保护膜的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
形成保护膜，所述保护膜的目标表面包括：导电区域与粘性区域，所述保护膜通过所述目标表面的所述粘性区域贴附于待保护基板；
其中，所述保护膜包括：叠加的导电层与具有粘性的辅助层，所述辅助层具有镂空，所述导电层中存在伸入所述镂空的目标导电部分，所述辅助层中远离所述导电层的表面形成所述粘性区域，所述目标导电部分的一个表面形成所述导电区域。
9.一种物体保护方法，其特征在于，所述方法包括：
通过保护膜的目标表面中的粘性区域，将所述保护膜贴附于待保护物，所述保护膜为权利要求1至6任一所述的保护膜；
将所述目标表面中的导电区域接地；
揭除所述保护膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
