[发明专利]用于衬底薄化的方法及系统在审
申请号: | 201811276150.X | 申请日: | 2018-10-30 |
公开(公告)号: | CN110838440A | 公开(公告)日: | 2020-02-25 |
发明(设计)人: | 茅一超;张进传;卢思维 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/3105 | 分类号: | H01L21/3105;H01L21/321 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 衬底 方法 系统 | ||
提供一种对衬底进行薄化的方法及系统。所述方法包括至少以下步骤。在卡盘与设置在所述卡盘上的衬底之间的界面处提供液体密封。在提供所述液体密封期间对所述衬底进行薄化。
技术领域
本发明的实施例是有关于一种用于衬底薄化的方法及系统。
背景技术
半导体装置被用于例如个人计算机、手机、数码相机、及其他电子装置等各种电子应用中。随着对缩小电子装置的需求的增长,需要更小且更具创造性的半导体管芯封装技术。因此,已开始开发例如晶片级封装(wafer level packaging,WLP)等封装。举例来说,通过在提前形成的层及结构之上依序形成各种材料层及结构来制作半导体装置。由于不同材料的热膨胀系数(coefficient of thermal expansion,CTE)不同,因此在制作工艺期间的热问题可能导致半导体装置翘曲。
此外,在对半导体装置的制造中,执行研磨工艺(grinding process)以减小的结构的厚度。随着半导体装置的最终厚度缩小,因研磨工艺造成的损害问题变得更为突出。举例来说,在传统研磨工艺中,结构的边缘处可能由于翘曲而出现真空泄露(vacuumleakage)。另外,研磨工艺可能造成具有不可接受的总厚度变异量(total thicknessvariation,TTV)的研磨表面。此外,具有较小厚度的待薄化结构在其周边处翘曲且变得易于在研磨期间破裂。此外,可能出现过度研磨(over-grinding)而对结构的一部分造成损害,由此导致良率损失(yield loss)。因此,需要一种对半导体装置进行薄化的方法及系统。
发明内容
根据一些实施例,提供一种对衬底进行薄化的制造方法。所述方法包括至少以下步骤。在卡盘与设置在所述卡盘上的衬底之间的界面处提供液体密封。在提供所述液体密封期间对所述衬底进行薄化。
根据一些实施例,提供一种对半导体结构进行薄化的制造方法。所述方法包括至少以下步骤。形成半导体结构,其中所述半导体结构包括第一半导体管芯及包封所述第一半导体管芯的第一绝缘包封体。将所述半导体结构放置在支撑总成上,其中所述支撑总成包括卡盘及组装在所述卡盘上的第一液体供应单元。使用由所述第一液体供应单元提供的第一液体填充所述卡盘与所述半导体结构之间的间隙。在提供所述第一液体期间,对所述半导体结构进行薄化。
根据一些实施例,一种对衬底进行薄化的系统包括:卡盘,包括承载表面;以及第一液体供应单元,组装在所述卡盘上。所述第一液体供应单元包括:排放导管,倾斜地朝所述卡盘设置,其中所述排放导管输送液体,所述液体从所述排放导管的至少一个排放口朝所述卡盘的所述承载表面流动以密封所述衬底与所述承载表面之间的界面。
附图说明
结合附图阅读以下详细说明,会最好地理解本发明实施例的各个方面。应注意,根据本行业中的标准惯例,各种特征并非按比例绘制。事实上,为论述清晰起见,可任意增大或减小各种特征的尺寸。
图1A到图1H是根据本发明一些示例性实施例的半导体装置的制造方法中的各种阶段的示意性剖视图。
图2是根据本发明一些示例性实施例的图1B或图1E中所绘示结构的示意性立体图。
图3A到图3G是根据本发明一些示例性实施例的对衬底进行薄化的制造方法中的各种阶段的示意性剖视图。
图4是根据本发明一些示例性实施例的图3B中所绘示虚线框A的示意性俯视图。
图5及图6是示出根据本发明一些示例性实施例的对衬底进行薄化的系统的液体供应源的示意性剖视图。
图7是根据本发明一些示例性实施例的图3C中所绘示虚线框B的示意性立体图。
图8是根据本发明一些示例性实施例的图3C中所绘示虚线框C的示意性放大剖视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造