[发明专利]包括用于误差校正电路的响应管理器的存储器架构有效
申请号: | 201811277573.3 | 申请日: | 2018-10-30 |
公开(公告)号: | CN109726030B | 公开(公告)日: | 2023-02-10 |
发明(设计)人: | O·兰简;R·格梅利;A·古普塔 | 申请(专利权)人: | 意法半导体股份有限公司;意法半导体国际有限公司 |
主分类号: | G06F11/07 | 分类号: | G06F11/07 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;郭星 |
地址: | 意大利阿格*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 用于 误差 校正 电路 响应 管理器 存储器 架构 | ||
1.一种电路,包括:
误差校正电路系统,被配置为:
接收数据分组;
确定在所述数据分组中是否存在可校正误差,并且输出指示在所述数据分组中存在或不存在所述可校正误差的可校正误差标志;
确定在所述数据分组中是否存在不可校正误差,并且输出指示在所述数据分组中存在或不存在所述不可校正误差的不可校正误差标志;
响应管理器电路,包括:
或门,将所述可校正误差标志和所述不可校正误差标志作为输入接收,并且生成输出;
与门,将所述可校正误差标志和模式选择信号作为输入接收,并且生成第一输出;以及
多路复用器,将所述不可校正误差标志和所述或门的所述输出作为输入接收,并且响应于所述模式选择信号而生成第二输出。
2.根据权利要求1所述的电路,其中,当所述模式选择信号指示所述响应管理器电路要在可用性模式中操作时,如果所述可校正误差标志指示在所述数据分组中存在可校正误差,则所述第一输出指示在所述数据分组中存在所述可校正误差,并且如果所述不可校正误差标志指示在所述数据分组中存在不可校正误差,则所述第二输出指示在所述数据分组中存在所述不可校正误差。
3.根据权利要求1所述的电路,其中,当所述模式选择信号指示所述响应管理器电路要在覆盖模式中操作时,如果所述可校正误差标志指示在所述数据分组中存在可校正误差,则所述第一输出指示在所述数据分组中潜在地存在所述可校正误差,但是所述可校正误差应当被当作不可校正误差来处置,并且如果所述不可校正误差标志指示在所述数据分组中存在不可校正误差,则所述第二输出指示在所述数据分组中存在所述不可校正误差。
4.根据权利要求2所述的电路,其中所述响应管理器电路根据所述电路的至少一个接收到的操作条件来确定是进入可用性模式还是覆盖模式。
5.根据权利要求2所述的电路,其中所述响应管理器电路根据接收到的配置简档来确定是进入可用性模式还是覆盖模式。
6.根据权利要求2所述的电路,还包括:
第一存储器,具有第一存储器类型;
第二存储器,具有与所述第一存储器类型不同的第二存储器类型;
物理接口电路系统,将所述第一存储器和所述第二存储器耦合到所述误差校正电路系统;
其中所述响应管理器电路基于所述数据分组被从所述第一存储器还是从所述第二存储器接收到,来确定是进入可用性模式还是覆盖模式。
7.根据权利要求6所述的电路,其中所述第一存储器类型是比所述第二存储器类型可靠性更低的存储器类型,使得来自所述第一存储器的数据的传输中的误差比来自所述第二存储器的数据的传输中的误差更有可能。
8.根据权利要求7所述的电路,其中所述第一存储器类型是双数据速率同步动态随机存取存储器。
9.根据权利要求1所述的电路,其中所述误差校正电路系统包括汉明误差校正电路系统。
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