[发明专利]一种P(VDF-TrFE)铁电薄膜材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201811277893.9 申请日: 2018-10-30
公开(公告)号: CN109400929B 公开(公告)日: 2021-07-13
发明(设计)人: 郭和俊 申请(专利权)人: 郭庆平
主分类号: C08J5/18 分类号: C08J5/18;C08L27/16
代理公司: 合肥顺超知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 34120 代理人: 徐文恭
地址: 238100 安徽省马鞍山市含*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 vdf trfe 薄膜 材料 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种P(VDF-TrFE)铁电薄膜材料的制备方法,其特征在于,制备方法如下:

(1)将原料P(VDF-TrFE)投入反应釜中,并加入溶剂,升温至40-50℃,搅拌同时进行超声波分散,4-5h后,加入增塑剂、成核剂升温至60-65℃搅拌1-2h,得到预产物;

(2)将预产物运送至热风区,控制出液量为1m/s,在140-150℃下,干燥成膜,裁断后,将裁断材料在140-150MPa,150-160℃下进行热压,保温10-15min后,快速降至室温,将薄膜运输至退火炉中,并保持氟苯气氛,升高温度至145-150℃,退火保温2-3h后,自然冷却至室温,薄膜的厚度为5-10μm。

2.如权利要求1所述P(VDF-TrFE)铁电薄膜材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯、邻苯二甲酸二异壬酯、邻苯二甲酸丁苄酯中的任意一种。

3.如权利要求1所述P(VDF-TrFE)铁电薄膜材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述成核剂为脂肪羧酸金属化合物、山梨醇苄叉衍生物、芳香族羧酸金属化合物中的任意一种。

4.如权利要求1所述P(VDF-TrFE)铁电薄膜材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)中的所述的溶剂为碳酸二乙酯。

5.如权利要求1所述P(VDF-TrFE)铁电薄膜材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述快速降温的降温速率为40-45℃/min。

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