[发明专利]功率器件制备方法有效
| 申请号： | 201811278057.2 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109408974B | 公开（公告）日： | 2023-05-19 |
| 发明（设计）人： | 吴家锋;赵夕彬;段雪;银军;黄雒光 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | G06F30/36 | 分类号： | G06F30/36 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 张贵勤 |
| 地址： | 050051 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 器件 制备 方法 | ||
1.一种功率器件制备方法，其特征在于，包括：
对功率芯片进行仿真，确定功率芯片的输出阻抗和输入阻抗；
根据所述输入阻抗在所述功率芯片的输入端设计输入匹配电路，其中，所述输入匹配电路的输出端连接所述功率芯片的输入端，输入匹配电路中包括阻抗变换器；
根据所述输出阻抗在所述功率芯片的输出端设计输出匹配电路，其中，所述输出匹配电路的输入端连接所述功率芯片的输出端；
对配有所述输入匹配电路和所述输出匹配电路的所述功率芯片进行非线性特性仿真；
根据上述所述功率芯片的非线性特性设计预失真电路，其中，预失真电路的输出端连接所述输入匹配电路的输入端，所述预失真电路对所述功率器件的非线性特性进行预先校正，将所述预失真电路和所述阻抗变换器集成形成单片微波集成电路；
将所述单片微波集成电路、所述输入匹配电路、所述功率芯片和所述输出匹配电路烧结在管壳中，进行封装。
2.根据权利要求1所述的功率器件制备方法，其特征在于，所述输入匹配电路包括输入预匹配电路和Wilkison平面电路。
3.根据权利要求2所述的功率器件制备方法，其特征在于，所述输入预匹配电路通过键合金丝和陶瓷基片电容构成T型网络实现。
4.根据权利要求1所述的功率器件制备方法，其特征在于，所述输入匹配电路的输入阻抗为50欧姆。
5.根据权利要求1所述的功率器件制备方法，其特征在于，所述输出匹配电路的输出阻抗为50欧姆。
6.根据权利要求1所述的功率器件制备方法，其特征在于，所述单片微波集成电路的衬底为GaAs或GaN。
7.根据权利要求1所述的功率器件制备方法，其特征在于，所述预失真电路的输出阻抗和输入阻抗均为50欧姆。
8.根据权利要求1所述的功率器件制备方法，其特征在于，所述单片微波集成电路、所述输入匹配电路、所述功率芯片和所述输出匹配电路采用金锡焊料烧结在管壳中。
9.根据权利要求1所述的功率器件制备方法，其特征在于，所述单片微波集成电路、所述输入匹配电路、所述功率芯片和所述输出匹配电路之间均采用键合金丝连接。
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