[发明专利]一种基于光耦隔离驱动的小型可控高压开关装置在审

专利信息
申请号: 201811278092.4 申请日: 2018-10-30
公开(公告)号: CN109412396A 公开(公告)日: 2019-03-01
发明(设计)人: 程嵩;陈庆国;卢华鑫;宋春辉 申请(专利权)人: 哈尔滨理工大学
主分类号: H02M1/092 分类号: H02M1/092;H03K17/78
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 150080 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 可控 门极驱动电路 高压开关装置 光耦隔离模块 隔离变压器 发射极 集电极 输出端 高压开关设备 隔离驱动模块 光耦隔离驱动 开关电源模块 开关控制模块 控制开关信号 发射极连接 高低压隔离 高压直流端 集电极连接 输出端接地 高压开关 光耦隔离 驱动信号 适用电压 一致性好 直流高压 控制端 输入端 磁芯 副边 门极 占位 电路 穿过 应用
【说明书】:

发明涉及一种应用于可控小型化高压开关装置的光耦隔离设计,属于可控高压开关领域。本发明为解决可控高压开关设备存在体积大、适用电压等级低、高低压隔离占位较多、各IGBT驱动信号一致性不好的问题。本发明的开关电源模块同时穿过IGBT隔离驱动模块中每级隔离变压器的磁芯,每级隔离变压器的副边接门极驱动电路,门极驱动电路的控制端与光耦隔离模块连接,光耦隔离模块接开关控制模块的输出端,门极驱动电路的输出端接IGBT模块中每级IGBT的门极,每级IGBT的集电极与发射极之间接有保护电路,每级IGBT的集电极与上一级IGBT的发射极连接,每级IGBT的发射极与下一级IGBT的集电极连接,IGBT模块的输入端接高压直流端,IGBT模块的输出端接地。本发明具有驱动信号一致性好、体积较小、便于控制开关信号、可承受直流高压的优点。

技术领域

本发明涉及可控高压开关领域。

背景技术

现有的可控高压开关采用多组IGBT模块串联,尤其是适用于几十kV等级的高压开关,其串联的IGBT模块多达几十组,导致可控高压开关设备存在结构复杂、控制部分与高压的隔离复杂且占位大、IGBT开关驱动同步性等问题。目前隔离驱动主要为光耦隔离和磁隔离两种方式,光耦隔离较磁隔离驱动具有绝缘性能好、响应速度快等优点,但也存在传输光纤较多而占地大、多驱动光源的存在开断不同步的问题。

发明内容

在下文中给出了关于本发明的简要概述,以便提供关于本发明的某些方面的基本理解。应当理解,这个概述并不是关于本发明的穷举性概述。它并不是意图确定本发明的关键或重要部分,也不是意图限定本发明的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念,以此作为稍后论述的更详细描述的前序。

鉴于此,本发明的目的是为了解决小型化可控高压开关的光耦隔离占地较大、光隔离结构复杂且损耗高、驱动不同步的问题,提供一种采用光纤隔离驱动的小型可控高压开关装置。

本发明所采取的方案为:采用光纤隔离驱动的小型可控高压开关装置,它包括开关电源模块、IGBT模块、IGBT隔离驱动模块、开关控制模块和光耦隔离模块,其特征在于。

所述开关电源模块,为IGBT隔离驱动模块提供能量,所述开关电源模块的输入端接220V交流电,所述开关电源模块的输出端接IGBT隔离驱动模块的电源输入端。

所述IGBT模块,关断时承受直流高压,接收到触发信号后导通,从截止状态快速地切换成导通状态,它包括多级相同的IGBT子模块,所述每级IGBT子模块包括一个IGBT及其保护电路,所述每级IGBT的门极与IGBT隔离驱动模块的输出端连接,所述每级IGBT的集电极与发射极之间接有保护电路,所述每级IGBT的集电极与上一级IGBT的发射极连接,每级IGBT的发射极与下一级IGBT的集电极连接,构成IGBT模块,所述IGBT模块输入端接高压直流端,输出端接地。

所述IGBT隔离驱动模块,从光耦隔离模块接受开断信号,为IGBT模块提供可控的驱动电压,并将高压端与电源模块隔离,它包括多级相同的驱动隔离子模块构成,所述每级驱动隔离子模块输入端接电源模块的输出端,输出端接所述每级IGBT子模块,控制端接光耦隔离模块,所述每级驱动隔离子模块还包括隔离变压器和门极驱动电路组成,所述隔离变压器磁芯副边接所述门极驱动电路,所述开关电源模块输出端穿过所述隔离变压器的磁芯,为所述门极驱动电路提供驱动电压和电流,并隔离所述开关电源模块与所述门极驱动电路,所述门极驱动电路的电源输入端与所述隔离变压器副边接,控制端与所述光耦隔离模块输出端连接,输出端与所述每级IGBT子模块的门极连接,所述开关电源模块的输出端同时穿过所述每级隔离变压器的磁芯。

所述开关控制模块,根据需求为驱动电路提供开断信号,所述开关控制模块的输入端接220V交流电,所述开关控制模块的输出端接所述光耦隔离模块的输入端。

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