[发明专利]改进型PWM和DIM调光驱动电路

说明书

本发明提供了一种改进型PWM和DIM调光驱动电路，包括LED照明电路和调光电路；高压转低压模块通过高压JFET1连接母线电压，输出供外部设备或控制器使用的工作电压；调光模块的输入端通过调光信号输入端口接收直流信号和PWM信号，调光模块的输出端连接系统控制模块，系统控制模块通过驱动模块控制高压MOS管的栅极，该高压MOS管的漏极连接一路照明电路，在高压MOS管关闭时，退磁回路的电感进行退磁放电；峰值检测模块用于检测高压MOS管的源极电压，系统控制模块根据检测到的源极电压通过驱动模块控制高压MOS管的关闭从而调整LED调光电路中电感放电的峰值。该改进型PWM和DIM调光驱动电路具有防漏光、结构简单、成本低的优点。

技术领域

本发明涉及LED调光领域，具体的说，涉及了一种改进型PWM和DIM调光驱动电路。

背景技术

目前在非隔离PWM、DIM调光系统中，采用了高压MOSFET和内部的JFET公用DRAIN的结构，参考CN201710058800。但是由于系统的供电通过LED灯管再给JFET供电，所以此结构在需要LED灯管不亮的情况下仍然会导致LED灯微亮。同时由于采用了500V高压工艺，单芯片集成了高压MOSFET，并采用了双路的结构,功率相对受限。

为了解决以上存在的问题，人们一直在寻求一种理想的技术解决方案。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术的不足，从而提供一种防漏光、结构简单、成本低的改进型PWM和DIM调光驱动电路。

为了实现上述目的，本发明所采用的技术方案是：一种改进型PWM和DIM调光驱动电路，包括LED照明电路和调光电路；所述LED照明电路包括LED灯管和肖特基管，所述LED灯管还连接由电阻、电容和电感组成的LC振荡电路，所述肖特基管、所述LED灯管和所述电感还构成退磁回路；所述调光电路包括高压JFET1、高压转低压模块、峰值检测模块、系统控制模块、驱动模块、调光模块、调光信号输入端口、驱动模块和高压MOS管；所述高压转低压模块通过所述高压JFET1连接母线电压，输出供外部设备或控制器使用的工作电压；所述调光模块的输入端通过所述调光信号输入端口接收直流信号和PWM信号，所述调光模块的输出端连接所述系统控制模块，所述系统控制模块通过所述驱动模块控制所述高压MOS管的栅极，该高压MOS管的漏极连接一路照明电路，在高压MOS管关闭时，退磁回路的电感进行退磁放电；所述峰值检测模块用于检测高压MOS管的源极电压，所述系统控制模块根据检测到的源极电压通过所述驱动模块控制高压MOS管的关闭从而调整LED调光电路中电感放电的峰值。

基于上述，所述调光电路还包括高压JFET2、欠压保护模块、VGG产生电路和低压差LDO模块，所述VGG产生电路的输入端通过所述高压JFET2连接母线电压，所述VGG产生电路的输出端分别连接储能电容和所述低压差LDO模块，所述低压差LDO模块输出5V电压；所述高压转低压模块还通过所述欠压保护模块向所述VGG产生电路和所述高压转低压模块输出使能信号EN。

基于上述，所述高压转低压模块包括运放U1、MOS管M1和MOS管M2，所述运放U1的输出端分别连接所述MOS管M1的栅极和所述MOS管M2的栅极，所述MOS管M1的栅极还依次通过开关S1和电阻R3连接MOS管M1的漏极，所述MOS管M1的漏极和所述MOS管M2的漏极分别连接所述高压JFET1的源极，所述MOS管M1的源极依次通过电阻R2和电阻R1接地，所述MOS管M1的源极还依次通过开关S2和电阻R4接地，MOS管M1的源极输出电压VDD，MOS管M2的源极为驱动模块提供电压；运放U1的同相输入端连接基准电压VREF，运放U1的反相输入端连接电阻R2和电阻R1的连接点处，开关S1和开关S2根据使能信号EN打开或闭合。