[发明专利]沟槽隔离结构的形成方法及介电膜的形成方法在审
| 申请号： | 201811278659.8 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN111128850A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 吴娅妮;于宝庆 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 形成 方法 介电膜 | ||
【权利要求书】：
1.一种沟槽隔离结构的形成方法，包括：
提供具有至少一沟槽的衬底；
在所述沟槽内沉积介质材料；以及
先通过臭氧再通过紫外光对所述介质材料进行固化处理，在所述沟槽内形成介质层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在10～20℃的温度下对所述介质材料进行固化。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述臭氧固化过程中，臭氧的流量为8000～12000sccm。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述紫外光的波长为10～400nm。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述固化处理完成后进行退火工艺。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述介质层为氧化硅层或氮氧化硅层。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述衬底上依次设置有氧化物层、氮化物层，所述沟槽贯穿所述氧化物层、所述氮化物层。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述氮化物层和所述介质层上形成二氧化硅层。
9.根据权利要去1所述的方法，其中，臭氧和紫外的处理在同一个腔体内完成。
10.一种介电膜的形成方法，包括：
在衬底上沉积介质材料，以及；
先通过臭氧再通过紫外光对所述介质材料进行固化，制得所述介电膜。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，在10～20℃的温度下对所述介质材料进行固化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
