[发明专利]显示面板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201811279191.4 | 申请日: | 2018-10-30 |
公开(公告)号: | CN109473567B | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 张金方;朱雪婧;张露;马占洁;胡思明;韩珍珍 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京曼威知识产权代理有限公司 11709 | 代理人: | 方志炜 |
地址: | 215300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板(100)包括基板(10)及形成于所述基板(10)上的封装层(30),所述封装层的边界(31)位于所述基板(10)的边界(11)内侧;所述封装层为薄膜封装层;所述封装层的边界为所述封装层位于外侧的边界;
所述显示面板(100)包括异型边缘区,所述基板(10)及所述封装层(30)的位于所述异型边缘区的边界为互相匹配的不规则形状;
所述显示面板(100)还包括形成于所述基板(10)与所述封装层(30)之间的边框电路(20),所述边框电路的边界(21)位于所述封装层(30)的边界(31)内侧,所述边框电路(20)及所述封装层(30)的位于所述异型边缘区的边界为互相匹配的不规则形状;
位于所述异型边缘区的边界中,基板(10)的边界(11)与封装层(30)的边界(31)之间的距离的相对偏差范围为-10%至10%,封装层(30)的边界(31)与边框电路(20)的边界(21)之间的距离的相对偏差范围为-10%至10%。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述基板(10)、所述边框电路(20)及所述封装层(30)的位于所述异型边缘区的边界分别为多线段型。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述基板(10)、所述边框电路(20)及所述封装层(30)的位于所述异型边缘区的边界中,每一边界均内接于对应的外接圆上;
各边界对应的外接圆均为同心圆。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述基板(10)、所述边框电路(20)及所述封装层(30)的位于所述异型边缘区的边界分别包括多条线段,且各边界包括的线段的条数分别相等;
所述基板(10)、所述边框电路(20)及所述封装层(30)的位于所述异型边缘区的边界中,位于同一边界内的多条线段的长度相等。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括形成于所述边框电路(20)内侧的像素电路(50)及形成于所述像素电路(50)与所述封装层(30)之间的OLED发光功能层(40),所述OLED发光功能层(40)的边界位于所述边框电路(20)的边界(21)内侧,所述OLED发光功能层(40)邻接所述异型边缘区的边界(41)为与所述基板(10)位于所述异型边缘区的边界(11)匹配的不规则形状。
6.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
提供基板;
将具有开口的掩膜板定位在所述基板的上方,封装材料透过掩膜板的所述开口沉积并固化在所述基板上,以在所述基板上形成封装层,所述封装层为薄膜封装层;所述封装层的边界位于所述基板的边界内侧,所述封装层的边界为所述封装层位于外侧的边界;所述显示面板包括异型边缘区,所述基板及所述封装层的位于所述异型边缘区的边界为互相匹配的不规则形状;
在所述将具有开口的掩膜板定位在所述基板的上方之间,所述方法还包括:在所述基板上形成边框电路,所述边框电路的边界位于所述封装层的边界内侧,所述边框电路的边界与所述封装层的边界为互相匹配的不规则形状;位于所述异型边缘区的边界中,基板的边界与封装层的边界之间的距离的相对偏差范围为-10%至10%,封装层的边界与边框电路的边界之间的距离的相对偏差范围为-10%至10%。
7.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述基板、所述边框电路及所述封装层的位于所述异型边缘区的边界分别为多线段型。
8.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括权利要求1至5任一项所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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