[发明专利]一种有机阻变存储器在审
| 申请号： | 201811279391.X | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109545967A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 李颖弢;李晓燕 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | H01L51/30 | 分类号： | H01L51/30;H01L51/05;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 甘肃省知识产权事务中心 62100 | 代理人： | 孙惠娜 |
| 地址： | 730000 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电极 下电极 有机导电聚合物 有机阻变存储器 掺杂金属 阻变材料 衬底 阻变存储器结构 阻变存储层 阻变存储器 传统使用 存储器件 金属电极 绿色环保 柔性电子 无机材料 下电极层 制造工艺 传统的 电极层 功能层 量子点 纳米线 氧化物 制备 制作 应用 | ||
1.一种有机阻变存储器，包括衬底和衬底上的上电极和下电极，所述上电极与下电极之间设有阻变功能层，其特征在于：所述上电极（104）和下电极（102）均由掺杂金属纳米线或掺杂金属量子点的有机导电聚合物组成。
2.根据权利要求1所述的一种有机阻变存储器，其特征在于：所述上电极（104）和下电极（102）的厚度均为10nm至200nm。
3.根据权利要求1或2所述的一种有机阻变存储器，其特征在于：所述阻变功能层（103）为聚(9-乙烯基咔唑)PVK、聚-3己基噻吩P3HT、Ag与四氰基对苯醌二甲烷TCNQ形成的金属有机络合物AgTCNQ、Cu与四氰基对苯醌二甲烷TCNQ形成的金属有机络合物CuTCNQ、聚2-(9-咔唑基)乙基甲基丙烯酸酯PCEM、聚3,4-乙烯二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸盐的共聚物PEDOT:PSS、甲基丙烯酸甲酯和N,N'-4,4'-二苯甲烷双马来酰亚胺的共聚物MMA-BMI、聚甲基丙烯酸甲酯和聚醚酰亚胺的共聚物PMMA-PEI其中一种物质的薄膜。
4.根据权利要求1或2所述的一种有机阻变存储器，其特征在于：所述上电极（104）和下电极（102）的有机导电聚合物材料均为聚苯胺PAn、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯PCBM、聚噻吩PTh的其中一种。
5.根据权利要求4所述的一种有机阻变存储器，其特征在于：所述上电极（104）和下电极（102）的掺杂金属纳米线或掺杂金属量子点的掺杂金属为Cu、Ag、Au的其中一种。
6.根据权利要求2所述的一种有机阻变存储器，其特征在于：所述阻变功能层（103）的厚度为5nm至50nm。
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