[发明专利]一种MC计算放射性屏蔽厚度值的方法

权利要求书

1.一种MC计算放射性屏蔽层厚度值的方法，其特征在于，包括：

S1、通过对公式(1)线性拟合得到质量吸收系数μ_m，所述公式(1)为：

μ_m＝LnK/dρ (1)

式中，μ_m为质量吸收系数，可直接反映出单位质量的屏蔽材料对放射性光子的吸收效果；d为MC程序中设定的屏蔽层厚度值；ρ为材料的密度；K为透射率的倒数值，即D₀/D，D₀为放射性光子未穿过物质前的光子剂量率，D为放射性光子穿过厚度为d的屏蔽层后的光子剂量率；Ln为以e为底K的对数；

S2、将得到质量吸收系数μ_m乘密度得到线吸收系数μ带入公式(2)中，即可计算得到屏蔽层厚度d，所述公式(2)为：

D＝D₀e^-μd (2)

式中，d为屏蔽层厚度值。

2.根据权利要求1所述MC计算放射性屏蔽层厚度值的方法，其特征在于：

根据各种核素衰变纲图的能量分支比制成计算源强表格，在表格中输入各核素的比活度即可得到各能群的光子源强和总光子源强；将源项光子能群、设备和屏蔽的结构、材料元素组成写入MC程序中；通过计算网格卡计算出放射性光子未穿过物质前的光子剂量率D₀、放射性光子穿过厚度为d的屏蔽层后的光子剂量率D_n。