[发明专利]一种逆导型沟槽绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种逆导型沟槽绝缘栅双极型晶体管，包括：

背面金属层（101）、背面第一导电类型区（102）、缓冲层（104）、漂移层（105）、正面第一导电类型区（108）、栅极（106）、正面金属层（110）、层间绝缘层（109）、背面第二导电类型区（103）和正面第二导电类型区（107）；其中，所述背面第一导电类型区（102）、所述缓冲层（104）和所述漂移层（105）为第一导电类型，所述背面第二导电类型区（103）和所述正面第二导电类型区（107）为第二导电类型；其特征在于，

还包括二极管沟槽区（106-1），所述二极管沟槽区（106-1）和第三导电类型区（111）在所述漂移层（105）与所述正面金属层（110）之间，所述二极管沟槽区（106-1）与所述正面金属层（110）直接接触，并且被所述第三导电类型区（111）包裹；

其中，所述第三导电类型区（111）为所述第二导电类型，并注入以下物质中的至少一者：重金属、氢离子、氦离子；所述第一导电类型与所述第二导电类型的类型不同。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述第三导电类型区（111）将所述栅极（106）和所述二极管沟槽区（106-1）之间的区域填充满。

3.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，与所述二极管沟槽区（106-1）相邻的所述栅极（106）被所述第三导电类型区（111）包裹住。

4.根据权利要求1-3中任一权利要求所述的晶体管，其特征在于，所述背面第一导电类型区（102）的数量与所述二极管沟槽区（106-1）的数量相等，并且一一对应，相对应的所述背面第一导电类型区（102）的最大宽度和包裹所述二极管沟槽区（106-1）的第三导电类型区（111）宽度相同，并且距离最近。

5.根据权利要求4所述的晶体管，其特征在于，所述背面第二导电类型区（103）布满所述背面第一导电类型区（102）所在层面的其他区域。

6.根据权利要求1-3中任一权利要求所述的晶体管，其特征在于，所述栅极（106）和二极管沟槽区（106-1）的形状为以下中的任意一种：矩形、梯形和U形。

7.根据权利要求1-3中任一权利要求所述的晶体管，其特征在于，所述栅极（106）的深度为2.5um至5.5um，所述栅极（106）之间的间距为1um至10um。

8.根据权利要求1-3中任一权利要求所述的晶体管，其特征在于，所述第三导电类型区（111）注入所述重金属、所述氢离子或所述氦离子的掺杂浓度为10¹³~10¹⁵cm^-3。

9.根据权利要求1-3中任一权利要求所述的晶体管，其特征在于，所述重金属为铂或金。