[发明专利]一种场聚焦效应的电推进装置有效

专利信息
申请号: 201811280396.4 申请日: 2018-10-30
公开(公告)号: CN109204888B 公开(公告)日: 2020-03-17
发明(设计)人: 高辉;罗杨;许诺;魏厚震 申请(专利权)人: 北京机械设备研究所
主分类号: F03H1/00 分类号: F03H1/00;B64G1/40
代理公司: 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 代理人: 李明里;庞许倩
地址: 100854 北京市海淀区永*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 聚焦 效应 推进 装置
【权利要求书】:

1.一种场聚焦效应的电推进装置,其特征在于,所述电推进装置包括:栅极(1)、第一支撑(2)、场聚焦极(4)、第二支撑(3)、发射极(5)、基底(8);

所述发射极(5)上设有发射锥,所述场聚焦极(4)设置在所述发射锥的尖端,且不与所述发射锥的尖端接触;所述栅极(1)设置在所述发射锥尖端方向,且所述栅极(1)与发射锥之间留有间隙;

所述栅极(1)通过所述第一支撑(2)与所述基底(8)连接,所述场聚焦极(4)通过所述第二支撑(3)与所述基底(8)连接;

所述场聚焦极(4)和栅极(1)对应所述发射锥的位置均设有形状和尺寸相同的通孔;所述栅极(1)与发射极(5)之间设有电位差,所述发射极(5)和场聚焦极(4)之间无电位差;所述发射极(5)为多孔材料,孔中填充推进剂。

2.根据权利要求1所述的场聚焦效应的电推进装置,其特征在于,所述栅极(1)、第一支撑(2)、场聚焦极(4)、第二支撑(3)和发射极(5)均设置在所述基底(8)的同一侧;

所述发射锥设有多个,且在所述发射极(5)上呈圆形或正多边形阵列。

3.根据权利要求1所述的场聚焦效应的电推进装置,其特征在于,所述基底(8)未与第一支撑(2)连接的一侧设有存储腔(7);所述存储腔(7)内存有推进剂。

4.根据权利要求3所述的场聚焦效应的电推进装置,其特征在于,所述场聚焦效应的电推进装置还设有推进剂通道,所述推进剂通道贯穿所述存储腔(7)的腔壁和所述基底(8);

所述存储腔(7)内的推进剂能够通过推进剂通道补充进入所述发射极(5)的多孔材料的孔中。

5.根据权利要求4所述的场聚焦效应的电推进装置,其特征在于,所述场聚焦效应的电推进装置还设有电源(9),所述电源(9)的一端与所述栅极(1)连接,另一端与所述场聚焦极(4)和发射极(5)均连接。

6.根据权利要求5所述的场聚焦效应的电推进装置,其特征在于,所述场聚焦极(4)和第二支撑(3)为一体结构,且通过钣金方法制成。

7.根据权利要求1至6任一所述的场聚焦效应的电推进装置,其特征在于,所述场聚焦效应的电推进装置还包括子基底(6);所述子基底(6)设置在所述基底(8)上,且所述第二支撑(3)通过所述子基底(6)与所述基底(8)连接;所述推进剂通道贯穿所述子基底(6)。

8.根据权利要求7所述的场聚焦效应的电推进装置,其特征在于,所述第一支撑(2)为绝缘材料制成。

9.根据权利要求7所述的场聚焦效应的电推进装置,其特征在于,所述场聚焦极(4)为金属材料制成;

或,所述场聚焦极(4)为硅基材料或玻璃材料制成,且所述场聚焦极(4)的表面镀有金属层。

10.根据权利要求8或9所述的场聚焦效应的电推进装置,其特征在于,所述场聚焦极(4)的厚度为0.04~0.2mm;

所述场聚焦极(4)的通孔的直径为0.15~0.5mm;

所述发射锥的尖端穿出所述场聚焦极(4)的距离为+0.1mm~-0.5mm。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京机械设备研究所,未经北京机械设备研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811280396.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top