[发明专利]一种提高阻变存储器稳定性的方法及其阻变存储器

权利要求书

1.一种提高阻变存储器稳定性的方法，其特征在于：上电极与下电极之间设有阻变存储层，在阻变存储层与上电极之间嵌入一层石墨烯薄膜阻挡层。

2.根据权利要求1所述的一种使用提高阻变存储器稳定性的方法的阻变存储器，其特征在于：包括衬底（401），在所述衬底（401）上设置下电极（402），所述下电极（402）上设置阻变存储层（403），所述阻变存储层（403）由金属氧化物构成，所述阻变存储层（403）上设置阻挡层（404），所述阻挡层（404）由石墨烯薄膜构成，所述阻挡层（404）上设置上电极（405）。

3.根据权利要求2所述的阻变存储器，其特征在于：所述下电极（402）和上电极（405）的厚度均为5-50nm。

4.根据权利要求2或3所述的阻变存储器，其特征在于：所述阻挡层（404）的厚度为1-5nm。

5.根据权利要求4所述的阻变存储器，其特征在于：所述阻变存储层（403）的厚度为3-30nm。

6.根据权利要求2或4所述的阻变存储器，其特征在于：所述阻变存储层（403）由金属氧化物WO_X，1≤X≤3或HfO_X，1≤X≤2或TiO₂过渡族金属氧化物薄膜中的其中一种制成。

7.根据权利要求6所述的阻变存储器，其特征在于：所述下电极（402）和上电极（405）均由Cu或Ag或Pt或Au或Al或Ti的金属电极或包括TiN或ITO或IZO的导电金属化合物的其中一种制成。

8.根据权利要求2或7所述的阻变存储器，其特征在于：所述衬底（401）由二氧化硅或掺杂二氧化硅或其他绝缘材料的其中一种制成。