[发明专利]一种富硒冰糖橙的种植方法在审
申请号: | 201811281098.7 | 申请日: | 2018-10-30 |
公开(公告)号: | CN109275481A | 公开(公告)日: | 2019-01-29 |
发明(设计)人: | 陆志林 | 申请(专利权)人: | 大新县科学技术情报研究所 |
主分类号: | A01G17/00 | 分类号: | A01G17/00;A01C21/00;A01H4/00;C05F15/00;C05F17/00;C05G3/00;C05G3/02 |
代理公司: | 南宁市来来专利代理事务所(普通合伙) 45118 | 代理人: | 来光业 |
地址: | 532300 广西壮族自*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 冰糖 种植 富硒 田间管理 硒元素 富含 甜度 香气 移栽 整地 采摘 育苗 顾客 | ||
1.一种富硒冰糖橙的种植方法,其特征在于,所述方法包括育苗、整地、移栽、田间管理、采摘,具体内容如下:
(1)育苗:选用高产的冰糖橙的带芽半木质化枝条,采用组织培养技术培育冰糖橙组织苗,生根炼苗后再移入营养钵中继续培育;
(2)整地:选择土壤肥沃、水源丰富、阳光充足的南边山坡作为冰糖橙的种植地,海拔500-1000m;深耕50-60cm,并施入基肥;
(3)移栽:待幼苗长至0.8-1m高时进行炼苗20-30天,并于9-10月份将幼苗带土移植,株行距为(2-2.5)m×3 m,每亩栽植88-111株;移栽深度40-45cm,回填土至齐平台面时,浇足定根水,再填细土至土墩略高于台面8-10cm;15天后及时清除病苗、死苗,并及时补苗;
(4)田间管理:
1)待幼苗主干高度长至30-40cm时,摘心选留3-4个主枝,均衡配置;对直立生长旺盛枝,于9-10月份通过拉、吊、扭的方法,让枝条斜生或水平生长;控制树高不超过2.5m,树形以开心形为标准;每年8月份对挂果树剪去无果枝、过密枝以及过密或阻挡果实光照的叶子,保持通风透光;采果后剪去交叉枝、衰弱枝、病虫枝和枯枝;
2)在果树的根部及向外30-50cm范围内铺上一层厚6-10cm的艾草或稻草;每个季度进行中耕除草一次,深度为5-10cm,中耕后盖上新的艾草或稻草;挂果期,在果树上悬挂包裹反光膜的片状或球状物体,补充果树下方的光照强度;
3)在冰糖橙果实膨大初期和中期,高温干旱期每天傍晚喷灌浇水,保证果树能吸收充足的水分;在冰糖橙果实膨大后期,在果树行间开沟排湿并控制浇水,实行亏缺浇水,让冰糖橙叶片保持轻微的萎蔫,每次7-10天;
4)每年施3次混合肥,亩用量为2-3吨,分别在2-3月份、6-7月份、11-12月份;于采果前40天和20天各喷施1次富硒叶面肥,每次亩用量20-35kg;每年抽发春梢、夏梢、秋梢时各喷一次多.锰锌可湿性粉剂600-800倍稀释液;
(5)采摘:于11月上中旬果实为橙红色时采摘果实,果实采摘顺序为由外至内、由上至下, 盛果容器内壁保持光滑, 果实采收后及时置于3-6℃下存储, 不能被日晒雨淋。
2.根据权利要求1所述富硒冰糖橙的种植方法,其特征在于,所述营养钵的制作方法为选用高10-12cm、上口直径10-13cm、底部直径8-10cm的塑料容器,将炭化稻壳、腐熟农家肥、蚯蚓土、池塘淤泥、白花除虫菊粉末以2:4:3:5:0.5的比例混合经消毒后填充到塑料容器中。
3.根据权利要求1所述富硒冰糖橙的种植方法,其特征在于,所述基肥由猪粪、牛粪、果蔬废弃物、酵母菌发酵废弃物混合,发酵2-3个月。
4.根据权利要求1所述富硒冰糖橙的种植方法,其特征在于,所述混合肥由以下原料组成:橙皮20-30份、茶叶渣15-20份、白花除虫菊10-20份、木质素10-20份、草木灰10-20份、动物骨头粉10-15份、豆饼10-15份、蚯蚓土20-30份、牛粪10-30份、猪粪10-30份、糖蜜发酵废弃物10-20份、硼砂0.1-2份、钼酸铵0.1-2份、过磷酸钙10-20份、氨基酸螯合态硒6-10份。
5.根据权利要求1所述富硒冰糖橙的种植方法,其特征在于,所述采用组织培养技术培育冰糖橙组织苗的具体步骤如下:
(1)外植体消毒:选用高产的冰糖橙的带芽半木质化枝条,用自来水冲洗干净,在 70%-80%乙醇中浸泡5-10s,用无菌水冲洗3-5次,再用2%的次氯酸钠溶液浸泡25-30min,用无菌水冲洗2-3次,用镊子夹取清洗好的枝条,在无菌操作台上,用灭菌过的滤纸吸干表面水分,剪取1.5-2.5cm 的带芽茎段作为外植体;
(2)愈伤组织诱导:将灭菌后的外植体接种到经高温灭菌的诱导培养基中培养,直至形成愈伤组织,培养条件:光照12-15h/d、光照强度为1000-1500lx、培养温度为24-26℃;
(3)继代培养:将步骤(2)形成的愈伤组织转接于增殖培养基中进行继代培养,转接后先在24-26℃条件下全暗培养 3-7d,然后置于光照 10-12h/d、光照强度为2000-2500lx、培养温度为25-28℃的条件下培养30-40d;
(4)生根培养:将继代培养得到无根苗,插入生根培养基中进行生根培养;培养条件:光照13-15h/d、光照强度为2000-22001x、培养温度为26-28℃;
诱导培养基为:MS+1~1.5mg/L TDZ+1.5~2mg/L 2,4-D+2.5%~3.5% 蔗糖+0.4%~0.5%琼脂+0.05%~0.1% 活性炭,pH 值为 5.8~ 6.0;
增殖培养基为:MS+0.5~0.8mg/L KT-30+0.5~0.8mg/L 2,4-D+2.5%~3.0% 蔗糖+0.4% ~0.5% 琼脂+0.05%~0.1% 活性炭,pH 值为 5.6~ 5.8;
生根培养基为:MS+1~2mg/L 6-BA+0.2~1mg/L IBA+0.1~1mg/L NAA+2.0%~3.5% 蔗糖 +0.35%~0.5% 琼脂 +0.05%~0.1% 活性炭,pH 值为 5.8~6.0。
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