[发明专利]一种窄带隙有机-无机低维杂化材料及其合成方法

权利要求书

1.一种窄带隙有机-无机低维杂化材料的合成方法，其特征包括以下具体步骤：

(1)用量筒量取10.00～15.00mL乙二胺溶液倒入三口烧瓶中，冰水浴条件下搅拌；(2)向步骤(1)中的三口烧瓶缓慢滴加45.00～60.00mL的浓度为45％氢碘酸溶液，磁力搅拌2～5小时得到悬浊液；(3)将步骤(2)的悬浊液倒入培养皿中，60～80℃条件下鼓风干燥20～30小时，得到白色晶体；(4)将步骤(3)得到的白色晶体用30.00～60.00mL乙醚洗涤2～4次，放入培养皿，随后60～80℃条件下真空干燥20～30小时，得到白色粉末A；(5)称取5.0～5.5mmol Bi₂O₃加入样品瓶中，随后加入5～10mL的浓度为45％氢碘酸溶液得到棕红色澄清溶液；(6)称取4.0～5.00mmol步骤(4)白色粉末A加入到步骤(5)的棕红色澄清溶液中；(7)将步骤(6)的反应液放入水热反应釜中，在90℃条件下保温10h；冷却至室温，在反应釜底部会生成红色的晶体，即为(NH₃CH₂CH₂NH₃)Bi₂I₁₀晶体。

2.根据权利要求1所述的一种窄带隙有机-无机低维杂化材料的合成方法，其特征在于所述的低维杂化材料(NH₃CH₂CH₂NH₃)Bi₂I₁₀为零维点状结构，红色棒状晶体，其分子式为：C₂H₁₀N₂Bi₂I₁₀，分子量为1749.08。

3.根据权利要求1所述的一种窄带隙有机-无机低维杂化材料的合成方法，其特征在于所述的低维杂化材料合成方法为水热合成方法，可以合成质量较高的单晶晶体。

4.根据权利要求1所述的一种窄带隙有机-无机低维杂化材料的合成方法，其特征在于所述的低维杂化材料(NH₃CH₂CH₂NH₃)Bi₂I₁₀带隙约为1.89eV，其稳定性达到310℃，在空气中可稳定存放15天左右，稳定性较高。

5.根据权利要求1所述的一种窄带隙有机-无机低维杂化材料的合成方法，其特征在于所述的Bi₂O₃

与白色粉末A的摩尔比为1:1.1～1:1.5。