[发明专利]晶圆键合方法在审
| 申请号： | 201811281935.6 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109411340A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 沈新林;王海宽;郭松辉;吴龙江;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/311;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第一膜层 晶圆 膜层 键合 硅氧键 键合面 氨气 等离子体活化 产品成品率 超临界状态 反应压强 键合界面 晶圆键合 清洗处理 硅氮键 减小 圆键 种晶 引入 | ||
1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆包括第一键合面，所述第二晶圆包括第二键合面，所述第一键合面上形成有含有硅氧键层的第一膜层，所述第二键合面上形成有含有硅氧键的第二膜层；
在所述第一膜层中引入硅氮键层；
对所述第一膜层及所述第二膜层进行等离子体活化处理；
对所述第一膜层及所述第二膜层进行清洗处理；
对所述第一膜层及所述第二膜层进行键合处理，形成键合界面。
2.根据权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于：在键合所述第一膜层及所述第二膜层的过程中，在所述键合界面形成超临界状态的氨气。
3.根据权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于：在键合所述第一膜层及所述第二膜层的过程中，在所述键合界面形成有水，所述水的状态包括气态。
4.根据权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于：形成所述含有硅氧键层的第一膜层的步骤包括采用化学气相沉积法或炉管沉积法于所述第一键合面上沉积氧化硅层。
5.根据权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于：形成所述含有硅氧键的第二膜层的步骤包括于所述第二键合面上形成氧化硅层或正硅酸乙酯层。
6.根据权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于：在所述第一膜层中引入所述硅氮键层的步骤包括采用化学气相沉积法于所述第一膜层上沉积氮氧化硅层或氮碳化硅层。
7.根据权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于：清洗处理所述第一膜层及所述第二膜层的步骤所采用的清洗液包括去离子水。
8.根据权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于：在键合所述第一膜层及所述第二膜层的步骤中，还包括退火的步骤。
9.根据权利要求8所述的晶圆键合方法，其特征在于：在所述退火步骤中，退火温度介于300℃～400℃，退火压强介于10mTorr～1Torr。
10.根据权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于：所述等离子体活化处理的工作气体包括氮气、氧气及惰性气体中的一种或组合。
11.根据权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于：所述晶圆键合方法包括应用于制备前照式CMOS或背照式CMOS中。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
