[发明专利]采用多模式传感电路用于多个头部传感器元件的数据存储设备有效

专利信息
申请号: 201811282381.1 申请日: 2018-10-31
公开(公告)号: CN109841233B 公开(公告)日: 2021-05-28
发明(设计)人: S·拉加里亚;E·谢瑞克;J·T·孔特雷拉斯;J·M·波斯;R·A·扎凯;R·史密斯;B·C·斯蒂普 申请(专利权)人: 西部数据技术公司
主分类号: G11B5/012 分类号: G11B5/012;G11B5/09;G11B5/00
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 徐东升;孙尚白
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 采用 模式 传感 电路 用于 头部 传感器 元件 数据 存储 设备
【权利要求书】:

1.一种数据存储设备,包括:

盘;

头部,所述头部在所述盘上致动,其中所述头部包括第一传感器元件和第二传感器元件;和

控制电路,所述控制电路被配置为:

生成偏置信号;

当配置为第一单端模式时,将所述偏置信号施加到所述第一传感器元件,以基于所述第一传感器元件的响应生成第一单端输出信号;

当配置为第二单端模式时,将所述偏置信号施加到所述第二传感器元件,以基于所述第一传感器元件的响应生成第二单端输出信号;并且

当配置为差分模式时,将所述偏置信号同时施加到所述第一传感器元件和所述第二传感器元件,以基于所述第一传感器元件和所述第二传感器元件的响应生成差分输出信号;

其中所述控制电路还包括:

第一多个晶体管,所述第一多个晶体管被配置为第一放大器,所述第一放大器耦接到所述第一传感器元件,其中所述第一放大器被配置为当处于所述第一单端模式时生成所述第一单端输出;和

第二多个晶体管,所述第二多个晶体管被配置为第二放大器,所述第二放大器耦接到所述第二传感器元件,其中所述第二放大器被配置为当处于所述第二单端模式时生成所述第二单端输出;

其中所述第二多个晶体管包括来自所述第一多个晶体管的至少一个晶体管。

2.根据权利要求1所述的数据存储设备,其中所述控制电路包括:

第一引线,所述第一引线连接到所述第一传感器元件的第一端部并且连接到所述第二传感器元件的第一端部;

第二引线,所述第二引线连接到所述第一传感器元件的第二端部;和

第三引线,所述第三引线连接到所述第二传感器元件的第二端部。

3.根据权利要求2所述的数据存储设备,其中所述控制电路还被配置为通过所述第一引线将所述偏置信号同时施加到所述第一传感器元件和所述第二传感器元件。

4.根据权利要求1所述的数据存储设备,其中来自所述第一多个晶体管的至少一个晶体管和来自所述第二多个晶体管的至少一个晶体管被配置为第三放大器,所述第三放大器耦接到所述第一传感器元件和所述第二传感器元件,其中所述第三放大器被配置为当处于所述差分模式时生成所述差分输出。

5.根据权利要求1所述的数据存储设备,其中所述控制电路还包括桥接电路,所述桥接电路被配置为当处于所述差分模式时将所述偏置信号同时施加到所述第一传感器元件和所述第二传感器元件。

6.根据权利要求1所述的数据存储设备,其中所述偏置信号是电压。

7.根据权利要求1所述的数据存储设备,其中所述偏置信号是电流。

8.一种操作数据存储设备的方法,所述方法包括:

生成偏置信号;

当配置为第一单端模式时,将所述偏置信号施加到头部的第一传感器元件,以基于所述第一传感器元件的响应生成第一单端输出信号;

当配置为第二单端模式时,将所述偏置信号施加到所述头部的第二传感器元件,以基于所述第一传感器元件的响应生成第二单端输出信号;并且

当配置为差分模式时,将所述偏置信号同时施加到所述第一传感器元件和所述第二传感器元件,以基于所述第一传感器元件和所述第二传感器元件的响应生成差分输出信号;

其中通过被配置为第一放大器的第一多个晶体管来生成所述第一单端输出信号,所述第一放大器耦接到所述第一传感器元件;

其中通过被配置为第二放大器的第二多个晶体管来生成所述第二单端输出信号,所述第二放大器耦接到所述第二传感器元件;并且

其中所述第二多个晶体管包括来自所述第一多个晶体管的至少一个晶体管。

9.根据权利要求8所述的方法,其中将所述偏置信号同时施加到所述第一传感器元件和所述第二传感器元件包括通过第一引线将所述偏置信号同时施加到所述第一传感器元件和所述第二传感器元件,所述第一引线将所述第一传感器元件和所述第二传感器元件连接到控制电路。

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