[发明专利]发光二极管的制造方法及发光二极管芯片

权利要求书

1.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

在砷化镓衬底上外延制作外延片；

在所述外延片表面生长反射镜介质膜层，在所述反射镜介质膜层上制作介质孔；

在所述反射镜介质膜层表面制作全角反射镜ODR金属层，所述ODR金属层通过所述介质孔与所述外延片的P型窗口层相连；

制作硅片，在所述ODR金属层的表面以及所述硅片的第一表面分别镀键合层，所述键合层包括钛金属层和锡镍结构层；

将所述ODR金属层上的所述键合层与所述硅片上的所述键合层在预设的条件下进行键合，形成片源；

去除所述外延片的砷化镓衬底、缓冲层以及腐蚀截止层，暴露出所述外延片的N型欧姆接触层；

在所述N型欧姆接触层上沉积二氧化硅，形成二氧化硅膜层，在所述二氧化硅膜层上，通过正胶光刻工艺，制作出第一光刻图形；

根据所述第一光刻图形，刻蚀所述二氧化硅膜层以及所述N型欧姆接触层，去掉刻蚀后的所述片源表面的正胶以及所述二氧化硅膜层，暴露出刻蚀后的所述N型欧姆接触层，刻蚀后的所述N型欧姆接触层为第二N型欧姆接触层；

在所述第二N型欧姆接触层上，光刻定义出N面电极图形，根据N面电极图形制作N面电极；

在制作了所述N面电极后的所述片源上光刻出所述片源的台面图形，根据所述台面图形，干蚀刻出所述片源的切割道，所述切割道的深度至少要达到所述外延片的P型窗口层；

在所述外延片上的N面粗化层光刻出粗化图形，根据所述粗化图形，通过湿法粗化的方法将所述外延片的N面粗化层的表面粗化；

在粗化后的所述片源的侧表面以及所述N面粗化层的边缘沉积保护层；

在所述硅片的第二表面，将所述硅片减薄，在减薄后的所述硅片的第二表面制作P面电极；

对制作所述P面电极后的所述片源进行切割及裂片形成发光二极管。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在砷化镓衬底上外延制作外延片，包括：

在所述砷化镓衬底上依次外延制作缓冲层、腐蚀截止层、N型欧姆接触层、N面粗化层、N型电流扩展层、N型限制层、多量子阱有源层、P型限制层、过渡层、P型窗口层。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述反射镜介质膜层表面制作ODR金属层，包括：

在所述反射镜介质膜层的表面依次镀金、锌化金、金，形成所述ODR金属层。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述ODR金属层的表面以及所述硅片的第一表面分别镀键合层，包括：

在所述ODR金属层表面以及所述硅片的第一表面镀钛，形成所述钛金属层，在所述钛金属层上依次镀锡、镍，形成所述锡镍结构层。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述钛金属层的厚度范围为2-5千埃，所述锡镍结构层中，锡的厚度范围为2-7微米，镍的厚度范围为1-4微米。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述锡镍结构层包括：锡镍第一结构层以及位于所述锡镍第一结构层上的锡镍第二结构层；

所述锡镍第一结构层包括锡金属第一层、镍金属第一层；

所述锡镍第二结构层包括锡金属第二层、镍金属第二层，所述锡金属第二层位于所述镍金属第一层上。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述键合层中所述钛金属层的厚度范围为2-5千埃，所述锡金属第一层的厚度范围为1-3微米，所述镍金属第一层的厚度范围为1-3微米，所述锡金属第二层的厚度范围为2-7微米，所述镍金属第二层的厚度范围为1-3微米。

8.根据权利要求1至7任一项所述的制造方法，其特征在于，所述将所述ODR金属层上的所述键合层与所述硅片上的所述键合层在预设的条件下进行键合，包括：

将所述ODR金属层上的所述键合层与所述硅片的所述键合层相对放置在键合机台中，选取预设的键合程序，驱动所述键合机台按照预设的条件开始键合。