[发明专利]一种增强超高频RFID标签反射功率的方法

权利要求书

1.一种增强标签反射功率的方法，包括：

确定标签芯片的吸收状态阻抗值Z_absorb；

设定天线阻抗Z_ant＝Z_absorb^*，其中Z_absorb^*是标签芯片的吸收状态阻抗值Z_absorb的共轭阻抗，改变芯片调制电路阻抗，使得反射功率p_re达到第一值；从而确定标签芯片的反射状态阻抗值Z_reflect；

将天线阻抗Z_ant设定为最大值Z_{ant_max}，使得反射功率p_re达到最大反射功率；当反射功率p_re达到第一值时，反射系数差绝对值大于0.5且小于1；

在天线阻抗Z_ant＝Z_absorb^*的情况下，计算灵敏度损失和反射系数差绝对值；

在天线阻抗Z_ant＝Z_{ant_max}的情况下，计算灵敏度损失和反射系数差绝对值；以及

在最大反射功率和最小灵敏度损失值之间进行折中，从而确定标签芯片的反射功率；

在天线阻抗Z_ant＝Z_{ant_max}时，令Z_absorb＝z1_re+jz1_im，其中z1_re为实部，z1_im为虚部；Z_reflect＝z2_re+jz2_im，其中z2_re为实部，z2_im为虚部；则Z_{ant_max}＝Zant_re+jZant_im由下式确定：

Zant_re＝z1_re*z2_re*((z1_re+z2_re)^2+(z1_im-z2_im)^2))^(1/2)/(z1_re+z2_re)；

Zant_im＝-(z1_re*z2_im+z2_re*z1_im)/(z1_re+z2_re)；

其中符号^表示幂指数，z2_im^2代表z2_im的2次方；

所述在天线阻抗Z_ant＝Z_{ant_max}的情况下，计算灵敏度损失和反射系数差绝对值，包括：

灵敏度损失M_loss为：

反射系数差绝对值|ΔΓ|为：

所述在天线阻抗Z_ant＝Z_absorb^*的情况下，计算灵敏度损失和反射系数差绝对值，包括：

灵敏度损失M_loss为：

M_loss＝0；

反射系数差绝对值|ΔΓ|为：

2.如权利要求1所述的增强标签反射功率的方法，其特征在于，在最大反射功率和最小灵敏度损失值之间进行折中包括：在灵敏度损失为第一阈值的等高线上，找到反射系数最大值的点，并将天线阻抗设置为与反射系数最大值对应的阻抗值。

3.如权利要求1所述的增强标签反射功率的方法，其特征在于，所述改变芯片调制电路阻抗包括改变标签调制电路的等效并列电容和等效并列电阻值，从而标签芯片反射状态阻抗值Z_reflect发生改变。

4.如权利要求1所述的增强标签反射功率的方法，其特征在于，确定标签芯片的吸收状态阻抗值Z_absorb包括断开标签芯片调制电路开关，得到的整体阻抗即为芯片吸收状态阻抗Z_absorb。

5.一种增强标签反射功率的系统，包括：

存储器，所述存储器存储机器可执行指令；以及

处理器，所述处理器用于执行权利要求1至4中任一项所述方法。