[发明专利]一种低成本、超低功耗稳压器在审
| 申请号： | 201811283730.1 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109308087A | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 刘华;卢昌鹏 | 申请（专利权）人： | 上海海栎创微电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 上海启核知识产权代理有限公司 31339 | 代理人： | 王仙子 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区丹桂*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 输出缓冲级 电压基准电路 稳压器 超低功耗 低成本 输出端 功耗 低压差线性稳压器 模拟集成电路设计 负温度系数电压 正温度系数电压 电阻反馈网络 环路补偿电路 集成电路技术 误差放大器 基准电路 基准电压 启动电路 使用电压 休眠模式 超低的 低功耗 矛盾体 电路 芯片 供电 | ||
1.一种低成本、超低功耗稳压器，其特征在于：包括电压基准电路和输出缓冲级，所述电压基准电路与启动电路连接，所述输出缓冲级连接在所述电压基准电路的输出端，所述输出缓冲级输出端接负载。
2.根据权利要求1所述的一种低成本、超低功耗稳压器，其特征在于：所述电压基准电路产生的基准电压是正温度系数电压和负温度系数电压之和。
3.根据权利要求2所述的一种低成本、超低功耗稳压器，其特征在于：所述负温度系数电压由两个MOS管MN3和MN4提供，所述MOS管MN4的栅极和漏极相连，其源极连接在所述MOS管MN3的栅极和漏极上，所述MOS管MN3的源极接地。
4.根据权利要求3所述的一种低成本、超低功耗稳压器，其特征在于：
基准电压
其中VPTAT为正温度系数电压，VCTAT为负温度系数电压，m为MOS管MP5、MP6与MOS管MP1、MP3构成Cascode电流镜的比例系数，即m＝(W/L)MP5/(W/L)MP1＝(W/L)MP6/(W/L)MP3,ΔVGS为MOS管MN0的栅源电压与MOS管MN1的栅源电压的差值，即ΔVGS＝VGS，MN0-VGS，MN1，R0、R1为电阻阻值，VGS,MN3为MOS管MN3的栅源电压，VGS,MN4为MOS管MN4的栅源电压。
5.根据权利要求2所述的一种低成本、超低功耗稳压器，其特征在于：所述负温度系数电压由两个MOS管MP7和MN3提供，所述MOS管MP7的栅极和漏极与所述MOS管MN3的栅极和漏极连接在一起，所述MOS管MP7的源极与R1连接，所述MOS管MN3的源极接地。
6.根据权利要求5所述的一种低成本、超低功耗稳压器，其特征在于：
基准电压
其中VPTAT为正温度系数电压，VCTAT为负温度系数电压，m为MOS管MP5、MP6与MOS管MP1、MP3构成Cascode电流镜的比例系数，即m＝(W/L)MP5/(W/L)MP1＝(W/L)MP6/(W/L)MP3,ΔVGS为MOS管MN0的栅源电压与MOS管MN1的栅源电压的差值，即ΔVGS＝VGS，MN0-VGS，MN1，R0、R1为电阻阻值，VGS,MN3为MOS管MN3的栅源电压，VGS,MP7为MOS管MP7的栅源电压。
7.根据权利要求1所述的一种低成本、超低功耗稳压器，其特征在于：所述输出缓冲级包括两个MOS管MNAT0和MNAT1，且两个MOS管的栅极相连，其中MOS管MNAT0的漏极和栅极相连，并连接在MOS管MP6的漏极，其源极通过R1与所述负温度系数电压模块连接，MOS管MNAT1的漏极接电源电压，其源极接负载。
8.根据权利要求6所述的一种低成本、超低功耗稳压器，其特征在于：自所述输出缓冲级输出的输出电压VOUT等于基准电压VREF加上MOS管MNAT0的栅源电压减去MOS管MNAT1的栅源电压。
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