[发明专利]平板探测器结构及其制备方法

权利要求书

1.一种平板探测器结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供基底，并于所述基底上制备下电极层；

提供射线吸收材料液体，其中，所述射线吸收材料液体包括含铅化合物液体；

将所述射线吸收材料液体涂布于所述下电极层上，以基于涂布的所述射线吸收材料液体于所述下电极层上制备转光层；

所述转光层包括PbO膜层；所述PbO膜层厚度为50μm-800μm；

以及

于所述转光层上制备上电极层，所述上电极层的材料包括Ag、Al以及Mo中的至少一种；

所述制备方法中还包括形成界面层的步骤，所述界面层包括空穴传输层，所述空穴传输层形成于所述转光层与所述上电极层之间；

所述空穴传输层的材料包括Se及MoO₃中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的平板探测器结构的制备方法，其特征在于，所述含铅化合物液体的构成包括射线吸收材料及有机溶剂，其中，所述射线吸收材料包括含铅化合物，所述射线吸收材料溶于所述有机溶剂中形成所述含铅化合物液体。

3.根据权利要求2所述的平板探测器结构的制备方法，其特征在于，所述含铅化合物还包括PbO₂、Pb₃O₄、Pb₁₂O₁₉、PbI₂、PbBr₂、PbF₂、PbS、PbSe以及PbTe中的至少一种；所述有机溶剂包括乙醇。

4.根据权利要求1所述的平板探测器结构的制备方法，其特征在于，将所述射线吸收材料液体涂布于所述下电极层上的方式包括：刮涂、挤压式狭缝涂布、喷墨打印及丝网印刷中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的平板探测器结构的制备方法，其特征在于，所述基底包括基板以及形成于所述基板上的晶体管功能层，其中，所述晶体管功能层包括晶体管源极，所述晶体管源极与所述下电极层电连接。

6.根据权利要求1-5中任意一项所述的平板探测器结构的制备方法，其特征在于，所述界面层包括电子传输层，所述电子传输层形成于所述转光层与所述下电极层之间。

7.根据权利要求6所述的平板探测器结构的制备方法，其特征在于，形成所述电子传输层的方式包括刮涂、挤压式狭缝涂布、喷墨打印及丝网印刷中的任意一种；形成所述空穴传输层的方式包括刮涂、挤压式狭缝涂布、喷墨打印及丝网印刷中的任意一种。

8.根据权利要求6所述的平板探测器结构的制备方法，其特征在于，所述电子传输层的材料包括TiO₂及AZO中的至少一种。

9.一种平板探测器结构，其特征在于，包括：

基底；

下电极层，形成于所述基底上；

转光层，形成于所述下电极层上，其中，所述转光层包括含铅材料层，所述含铅材料层中包括含铅化合物；

所述转光层包括PbO膜层；所述PbO膜层厚度为50μm-800μm；

以及

上电极层，形成于所述转光层上，所述上电极层的材料包括Ag、Al以及Mo中的至少一种；

所述平板探测器结构还包括界面层，所述界面层包括空穴传输层，所述空穴传输层位于所述转光层与所述上电极层之间；

所述空穴传输层的材料选自于Se及MoO₃中的至少一种。

10.根据权利要求9所述的平板探测器结构，其特征在于，所述含铅化合物还包括PbO₂、Pb₃O₄、Pb₁₂O₁₉、PbI₂、PbBr₂、PbF₂、PbS、PbSe以及PbTe中的至少一种。