[发明专利]一种基于固态自旋的磁场测量方法及装置和磁场测量系统有效
申请号: | 201811283741.X | 申请日: | 2018-10-31 |
公开(公告)号: | CN109212440B | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
发明(设计)人: | 荣星;谢一进;朱云彬;石致富;代映秋;杜江峰 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
主分类号: | G01R33/24 | 分类号: | G01R33/24 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 230026 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 固态 自旋 磁场 测量方法 装置 测量 系统 | ||
1.一种基于固态自旋的磁场测量方法,其特征在于,所述磁场测量方法包括:
对待测磁场进行调制处理为调制磁场,所述调制处理包括:对所述待测磁场进行聚集以放大所述待测磁场的磁感应强度,将所述待测磁场调制为预设频段,其中,将所述待测磁场调制为预设频段,包括:通过控制用于调制所述待测磁场的调制结构的磁学性质,以将所述待测磁场调制为所述预设频段;或,将所述待测磁场调制为预设频段,其中,将所述待测磁场调制为预设频段,包括:通过控制用于调制所述待测磁场的调制结构的磁学性质,以将所述待测磁场调制为所述预设频段;
采用基于固态自旋的磁传感器测量所述调制磁场。
2.根据权利要求1所述的基于固态自旋的磁场测量方法,其特征在于,通过控制施加至所述调制结构上的电压,而控制所述调制结构的相对磁导率,以将所述待测磁场调制为所述预设频段。
3.一种基于固态自旋的磁场测量装置,其特征在于,所述磁场测量装置包括:
调制器件,所述调制器件用于对待测磁场进行调制处理为调制磁场,所述调制处理包括:对所述待测磁场进行聚集以放大所述待测磁场的磁感应强度,将所述待测磁场调制为预设频段,其中,将所述待测磁场调制为预设频段,包括:通过控制用于调制所述待测磁场的调制结构的磁学性质,以将所述待测磁场调制为所述预设频段;或,将所述待测磁场调制为预设频段,其中,将所述待测磁场调制为预设频段,包括:通过控制用于调制所述待测磁场的调制结构的磁学性质,以将所述待测磁场调制为所述预设频段
以及,基于固态自旋的磁传感器,所述基于固态自旋的磁传感器用于测量所述调制磁场。
4.根据权利要求3所述的基于固态自旋的磁场测量装置,其特征在于,所述调制器件包括:
磁通聚集单元,所述磁通聚集单元用于对所述待测磁场进行聚集,以放大所述待测磁场的磁感应强度;
以及,设置于所述磁通聚集单元的输出侧的磁场调制单元,所述磁场调制单元用于将所述待测磁场调制为预设频段。
5.根据权利要求3所述的基于固态自旋的磁场测量装置,其特征在于,所述调制器件包括:
磁场调制单元,所述磁场调制单元用于将所述待测磁场调制为预设频段;
以及,设置于所述磁场调制单元的输出侧的磁通聚集单元,所述磁通聚集单元用于对所述待测磁场进行聚集,以放大所述待测磁场的磁感应强度。
6.根据权利要求3所述的基于固态自旋的磁场测量装置,其特征在于,通过控制施加至所述调制结构上的电压,而控制所述调制结构的相对磁导率,以将所述待测磁场调制为所述预设频段。
7.根据权利要求4或5所述的基于固态自旋的磁场测量装置,其特征在于,所述磁通聚集单元的材质为铁、钴、镍中一种金属或含有其中至少一种的合金。
8.一种磁场测量系统,其特征在于,所述磁场测量系统包括权利要求3~7任意一项所述的基于固态自旋的磁场测量装置。
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