[发明专利]静态随机存取存储器单元结构

说明书

本发明公开一种静态随机存取存储器单元结构，其包括一第一逆变器。第一逆变器包括一第一晶体管与一第二晶体管。第一晶体管包括一第一源极与一第一漏极。第一源极连接至一第一电压源。第一源极包括一第一掺杂区与一第二掺杂区，第二掺杂区设置于第一掺杂区中，且第二掺杂区的导电型态与第一掺杂区的导电型态互补。第一漏极连接至一第一存储节点。第二晶体管包括一第二源极与一第二漏极。第二源极连接至一第二电压源。第二漏极连接至第一存储节点。

技术领域

本发明涉及一种存储器单元结构，尤其是涉及一种静态随机存取存储器(staticrandom access memory，SRAM)单元结构。

背景技术

在半导体制造领域中，集成电路中的元件尺寸不断地微缩以提升芯片效能。在使用绝缘层覆硅(silicon on insulator，SOI)基底的半导体装置中，若不使用体接触(body-tied)的设计，体区(body region)会呈现电性浮置(floating)状态，浮置体区效应(floating body effect)对于半导体装置的电性表现与可靠度可能产生负面影响。然而，一般的体接触设计会使得半导体装置的整体所占据的区域变大，对于微缩化以及集成度(integration)的提升产生阻碍。

发明内容

本发明提供了一种静态随机存取存储器(static random access memory，SRAM)单元结构，利用于连接至第一电压源的第一源极中设置导电型态互补的第一掺杂区与第二掺杂区，由此对体区形成电荷释放路径，故可在不增加静态随机存取存储器单元结构所占区域大小的状况下改善浮置体区效应(floating body effect)对静态随机存取存储器单元结构的电性表现与可靠度的负面影响。

本发明的一实施例提供一种静态随机存取存储器单元结构，包括一第一逆变器。第一逆变器包括一第一晶体管与一第二晶体管。第一晶体管包括一第一源极与一第一漏极。第一源极连接至一第一电压源。第一源极包括一第一掺杂区与一第二掺杂区，第二掺杂区设置于第一掺杂区中，且第二掺杂区的导电型态与第一掺杂区的导电型态互补。第一漏极连接至一第一存储节点。第二晶体管包括一第二源极与一第二漏极。第二源极连接至一第二电压源。第二漏极连接至第一存储节点。

本发明另一实施例提供一种静态随机存取存储器单元结构，包括一第一逆变器。第一逆变器包括一第一晶体管与一第二晶体管。第一晶体管包括一第一源极与一第一漏极。第一源极连接至一第一电压源。第一源极包括一第一掺杂区与一第二掺杂区，第二掺杂区设置于第一掺杂区中，且第二掺杂区的导电型态与第一掺杂区的导电型态互补。第二掺杂区将第一掺杂区分开成两个分离的部分设置于第二掺杂区的相对两侧。第一漏极连接至一第一存储节点。第二晶体管包括一第二源极与一第二漏极。第二源极连接至一第二电压源。第二漏极连接至第一存储节点。

附图说明

图1为本发明第一实施例的静态随机存取存储器单元结构的电路示意图；

图2为本发明第一实施例的静态随机存取存储器单元结构的上视示意图；

图3为本发明第一实施例的静态随机存取存储器单元结构的第一晶体管与第二晶体管的剖面示意图；

图4为本发明第一实施例的静态随机存取存储器单元结构的第三晶体管与第四晶体管的剖面示意图；

图5与图6为本发明第一实施例的静态随机存取存储器单元结构的制作方法示意图，其中图6绘示了图5之后的状况示意图；

图7为本发明第二实施例的静态随机存取存储器单元结构的电路示意图；

图8为本发明第三实施例的静态随机存取存储器单元结构的第一晶体管与第二晶体管的剖面示意图。

主要元件符号说明

10 基底

11 埋入式绝缘层