[发明专利]延长使用寿命的VCSEL芯片及制作方法和电子器件在审
| 申请号： | 201811285173.7 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109038217A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 彭钰仁;贾钊;许晏铭;洪来荣;陈为民;陈进顺;翁妹芝;张坤铭;朱鸿根;陈伟明;许勇辉;郭河 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体多层膜反射镜 多量子阱有源层 氧化结构 延长使用寿命 电子器件 限制层 量子阱有源层 阻挡 高温条件 使用寿命 水汽 衬底 缓冲 制作 背离 侵蚀 保证 | ||
1.一种延长使用寿命的VCSEL芯片，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底正面上的第一半导体多层膜反射镜；
位于所述第一半导体多层膜反射镜背离所述衬底一侧的多量子阱有源层；
位于所述多量子阱有源层背离所述衬底一侧的第二半导体多层膜反射镜；
位于所述第二半导体多层膜反射镜背离所述衬底一侧的限制层，所述限制层包括导电结构和环绕所述导电结构的氧化结构；
位于所述限制层背离所述衬底一侧的第三半导体多层膜反射镜，所述第三半导体多层膜反射镜与所述第二半导体多层膜反射镜的掺杂类型相同，且均与所述第一半导体多层膜反射镜的掺杂类型相反；
位于所述第三半导体多层膜反射镜背离所述衬底一侧的欧姆接触层；
以及，位于所述欧姆接触层背离所述衬底一侧的第一电极，及位于所述衬底背面上的第二电极。
2.根据权利要求1所述的延长使用寿命的VCSEL芯片，其特征在于，所述第一半导体多层膜反射镜、所述第二半导体多层膜反射镜和所述第三半导体多层膜反射镜均为DBR反射镜。
3.根据权利要求2所述的延长使用寿命的VCSEL芯片，其特征在于，所述第一半导体多层膜反射镜包括叠加的多个第一反射层，所述第一反射层包括依次叠加的AlAs层和AlGaAs层。
4.根据权利要求2所述的延长使用寿命的VCSEL芯片，其特征在于，所述第二半导体多层膜反射镜包括叠加的多个第二反射层，所述第二反射层包括依次叠加的AlAs层和AlGaAs层。
5.根据权利要求2所述的延长使用寿命的VCSEL芯片，其特征在于，所述第三半导体多层膜反射镜包括叠加的多个第三反射层，所述第三反射层包括依次叠加的AlAs层和AlGaAs层。
6.根据权利要求1所述的延长使用寿命的VCSEL芯片，其特征在于，所述第三半导体多层膜反射镜的膜层数量大于所述第二半导体多层膜反射镜的膜层数量。
7.根据权利要求1所述的延长使用寿命的VCSEL芯片，其特征在于，所述第一半导体多层膜反射镜为N型多层膜反射镜；
以及，所述第二半导体多层膜反射镜和所述第三半导体多层膜反射镜均为P型多层膜反射镜。
8.一种延长使用寿命的VCSEL芯片的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；
在所述衬底正面上依次叠加沉积第一半导体多层膜反射镜、多量子阱有源层、第二半导体多层膜反射镜、限制材料层、第三半导体多层膜反射镜和欧姆接触层；
对所述限制材料层进行氧化处理，使得所述限制材料层形成具有导电结构和环绕所述导电结构的氧化结构的限制层；
在所述欧姆接触层背离所述衬底一侧形成第一电极，及在所述衬底背面上形成第二电极。
9.根据权利要求1所述的延长使用寿命的VCSEL芯片的制作方法，其特征在于，对所述限制层进行氧化处理为：
对所述限制层进行湿法氧化处理。
10.一种电子器件，其特征在于，所述电子器件包括权利要求1-7任意一项所述的延长使用寿命的VCSEL芯片。
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