[发明专利]图像传感器像素电路及其工作方法有效

专利信息
申请号: 201811286241.1 申请日: 2018-10-31
公开(公告)号: CN109120835B 公开(公告)日: 2020-10-16
发明(设计)人: 罗文哲;王林;黄金德 申请(专利权)人: 锐芯微电子股份有限公司
主分类号: H04N5/225 分类号: H04N5/225;H04N5/235;H04N5/378
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 薛异荣;吴敏
地址: 215300 江苏省苏州市昆山开*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 图像传感器 像素 电路 及其 工作 方法
【权利要求书】:

1.一种图像传感器像素电路,所述图像传感器像素电路用于依次交替进行主曝光时序步骤和扩展曝光时序步骤,其特征在于,包括:

光电二极管,所述光电二极管具有正向连接端;

传输晶体管,所述传输晶体管的源级与所述正向连接端连接,所述传输晶体管的漏极与第一浮空扩散点连接;

附加晶体管,所述附加晶体管的源级与第一浮空扩散点连接,所述附加晶体管的漏极与第二浮空扩散点连接;

复位晶体管,所述复位晶体管的漏极与第一电源线连接,所述复位晶体管的源级连接第二浮空扩散点;

电容,所述电容与第二浮空扩散点连接;

前置晶体管,所述前置晶体管的源级与所述正向连接端连接,所述前置晶体管的漏极与第二电源线连接,所述前置晶体管适于在扩展曝光时序步骤中执行若干次相间的释放步骤,使光电二极管中的电荷传输至第二电源线;

列读出线,所述列读出线适于读出第一浮空扩散点的电位信息。

2.根据权利要求1所述的图像传感器像素电路,其特征在于,所述第二电源线的电位与第一电源线的电位相同;或者,所述第二电源线的电位与第一电源线的电位不同。

3.根据权利要求1所述的图像传感器像素电路,其特征在于,还包括:源跟随晶体管,所述源跟随晶体管的栅极与第一浮空扩散点连接,所述源跟随晶体管的漏极与第三电源线连接;选择晶体管,所述选择晶体管的漏极与所述源跟随晶体管的源级连接,所述选择晶体管的源级与列读出线连接。

4.根据权利要求3所述的图像传感器像素电路,其特征在于,第三电源线的电位与第一电源线的电位相同;或者,所述第三电源线的电位与第一电源线的电位不同。

5.根据权利要求1所述的图像传感器像素电路,其特征在于,所述电容具有相对的第一端和第二端,第一端与第二浮空扩散点连接,第二端接地。

6.根据权利要求1所述的图像传感器像素电路,其特征在于,所述光电二极管具有正向连接端和反向连接端,所述正向连接端分别与所述传输晶体管的源级以及所述前置晶体管的源级连接,所述反向连接端接地。

7.一种图像传感器像素电路的工作方法,其特征在于,包括:

提供权利要求1至6任意一项所述的图像传感器像素电路;

进行主曝光时序步骤,在进行主曝光时序步骤中,所述前置晶体管、传输晶体管和复位晶体管均处于断开状态,所述附加晶体管处于导通状态;

进行主曝光时序步骤后,进行主读出时序步骤,在主读出时序步骤中,所述前置晶体管处于断开状态,主读出时序步骤包括:在附加晶体管处于断开状态下,导通所述传输晶体管,使光电二极管中的电荷对第一浮空扩散点进行第一充电;进行第一充电后,在附加晶体管处于断开状态下,所述列读出线对第一浮空扩散点的电位信息进行第一信号数据采集;进行第一信号数据采集后,在附加晶体管处于导通状态下,导通所述传输晶体管,使光电二极管中的电荷对所述第一浮空扩散点和第二浮空扩散点进行第二充电;进行第二充电后,在附加晶体管处于导通状态下,所述列读出线对第一浮空扩散点的电位信息进行第二信号数据采集;

进行主读出时序步骤后,进行扩展曝光时序步骤,在扩展曝光时序步骤中,所述附加晶体管处于导通状态,复位晶体管处于断开状态,扩展曝光时序步骤包括:所述前置晶体管执行若干次相间的释放步骤以使光电二极管中的电荷传输至第二电源线;

在每次释放步骤之后,导通传输晶体管,使光电二极管中的电荷对所述第一浮空扩散点和第二浮空扩散点进行第三充电;

扩展曝光时序步骤和各第三充电均进行之后,所述列读出线对第一浮空扩散点的电位信息进行第三信号数据采集。

8.根据权利要求7所述的图像传感器像素电路的工作方法,其特征在于,在各释放步骤中,所述前置晶体管处于导通状态,所述传输晶体管处于断开状态;在所述第三充电中,所述传输晶体管处于导通状态,所述前置晶体管处于断开状态。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于锐芯微电子股份有限公司,未经锐芯微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811286241.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top