[发明专利]一种驱动能力增强的阻抗变换电路

权利要求书

1.一种驱动能力增强的阻抗变换电路，包括：

一耦合电容；

NPN型的高频晶体三极管，其发射极为输出端，与负载连接，其集电极连接到正电源，被测信号经过耦合电容输入到高频晶体三极管的基极；

第一、第二电阻以及第一运算放大器，被测信号经过第一电阻后连接到第一运算放大器的正相输入端，第二电阻连接在第一运算放大器的正相输入端与地之间；

偏置调节电阻，偏置调节电压通过偏置调节电阻接入第一运算放大器的反相输入端；

第三、第四、第五电阻以及局部反馈电容，第一运算放大器的输出端通过第三电阻连接到高频晶体三极管的基极，同时通过第四电阻、第五电阻连接到地，局部反馈电容连接在第一运算放大器的反相输入端与第四电阻、第五电阻的连接点之间；

反馈电阻，连接在高频晶体三极管发射极与第一运算放大器的反相输入端；

压控电流源，高频晶体三极管发射极经发射极电阻、压控电流源连接到负电源；

其特征在于，还包括：

集电极电流检测电路，用于检测高频晶体三极管的集电极电流，并输出反馈控制电压，控制压控电流源：在集电极电流增加时，减小压控电流源电流，在集电极电流减小时，增加压控电流源电流。

2.根据权利要求1所述的变换电路，其特征在于，所述的压控电流源为第二运算放大器、NPN型的晶体三极管以及电阻R₁₃、R₁₄、R₁₅、R₂₀构成的反相放大器，电阻R₁₃接第二运算放大器的正相输入端，反馈控制电压通过电阻R₁₄连接到第二运算放大器的反相输入端，电阻R₁₅连接到第二运算放大器的反相输入端与晶体三极管的发射极，晶体三极管的发射极通过电阻R₂₀连接到地，晶体三极管的集电极通过发射极电阻R₈连接到高频晶体三极管发射极。

3.根据权利要求1所述的变换电路，其特征在于，所述的集电极电流检测电路为电流检测电阻、第三运算放大器以及第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻构成的同相放大器；

所述高频晶体三极管的集电极通过电流检测电阻接到正电源，第六电阻连接在正电源与第三运算放大器的正相输入端，第七电阻连接在高频晶体三极管的集电极与第三运算放大器的反相输入端，第八电阻连接在第三运算放大器的反相输入端与输出端，第九电阻连接在第三运算放大器的正相输入端与地之间，第三运算放大器的输出端输出反馈控制电压。