[发明专利]三极管及其制作方法

权利要求书

1.一种三极管的制作方法，其特征在于，包括：

S01：提供基片，所述基片包括第一导电类型的衬底、位于所述衬底内且至少部分暴露于所述衬底的上表面的第二导电类型的埋层和位于所述衬底及所述埋层的上表面的第二导电类型的外延层；所述基片上设置有第一区和邻接所述第一区的第二区，在所述第二区内形成有贯穿所述外延层且延伸至所述埋层的第二导电类型的阱区；

S02：在所述外延层的上表面生长第一介质层，对所述第一介质层进行贯穿刻蚀以形成对应所述第一区的窗口；

S03：通过所述窗口对所述外延层进行掺杂并在所述外延层内形成第一导电类型的基区，所述基区位于所述第一区内；

S04：在所述基区的上表面形成掺杂第二导电类型的杂质的掺杂多晶硅层；去除一部分所述掺杂多晶硅层使所述基区的上表面局部裸露以形成位于所述基区的上表面的发射极多晶硅层；

S05：在含氧气氛下进行热驱入，所述发射极多晶硅层中的所述第二导电类型的杂质向所述基区扩散并在所述基区内形成发射区，且同时在裸露的所述基区的上表面及所述发射极多晶硅层的外表面生长氧化层；

S06：刻蚀所述氧化层并仅保留所述氧化层位于所述发射极多晶硅层的外表面的部分；

S07：在所述基区的上表面形成掺杂第一导电类型的杂质的基极多晶硅层；

S08：在所述氧化层、所述基极多晶硅层及所述第一介质层的上表面生长第二介质层；

S09：形成贯穿所述第二介质层和所述氧化层且对应所述发射极多晶硅层的发射极接触孔、贯穿所述第二介质层且对应所述基极多晶硅层的基极接触孔、贯穿所述第二介质层和所述第一介质层且对应所述阱区的集电极接触孔；

S10：形成连接所述发射极多晶硅层的发射极、连接所述基极多晶硅层的基极和连接所述阱区的集电极。

2.根据权利要求1所述的三极管的制作方法，其特征在于，S01还包括在所述第二区内形成贯穿所述外延层和所述埋层且底部延伸至所述衬底的隔离沟槽，所述隔离沟槽位于所述阱区远离所述第一区的一侧；在所述隔离沟槽内生长隔离层。

3.根据权利要求1所述的三极管的制作方法，其特征在于，当所述第二导电类型为N型时，S04中所述第二导电类型的杂质为砷。

4.根据权利要求1所述的三极管的制作方法，其特征在于，S04中形成所述掺杂多晶硅层的步骤包括：在所述基区的上表面生长由本征多晶硅组成的第一本征多晶硅层；在所述第一本征多晶硅层中注入第二导电类型的杂质并形成所述掺杂多晶硅层。

5.根据权利要求4所述的三极管的制作方法，其特征在于，所述第二导电类型的杂质的注入剂量为1E16-3E16/cm²。

6.根据权利要求1所述的三极管的制作方法，其特征在于，S05中所述热驱入的温度为950-1050℃。

7.根据权利要求1所述的三极管的制作方法，其特征在于，S07还包括进行热处理使得所述基极多晶硅层中的所述第一导电类型的杂质向所述基区扩散并形成位于所述基区内的基区接触区。