[发明专利]CMOS-TDI图像传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，包括：

基底，所述基底内具有第一沟道，所述第一沟道内掺杂有第一离子；

位于所述第一沟道顶部的若干个相互分立的掺杂区，所述掺杂区内掺杂有第二离子，所述第二离子与第一离子的导电类型相反；

位于所述第一沟道上的第一栅极结构，所述第一栅极结构横跨若干个掺杂区；所述第一栅极结构不仅与所述第一沟道接触，还与所述若干个掺杂区接触。

2.如权利要求1所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，所述第一沟道内若干个掺杂区沿第一方向排布；所述掺杂区沿第一方向的尺寸为：0.5微米~20微米。

3.如权利要求1所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，相邻掺杂区边缘之间的最小距离为：0.5微米~20微米。

4.如权利要求1所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，所述掺杂区的深度为：8纳米~50纳米。

5.如权利要求1所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，所述第一沟道的深度为：50纳米~250纳米。

6.如权利要求1所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，每个第一沟道内所述掺杂区的个数为2个~16个。

7.如权利要求1所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，所述第一栅极结构包括：位于所述第一沟道表面的第一栅介质层和位于第一栅介质层表面的第一电极层；所述第一栅介质层的材料包括氧化硅；所述基底的材料包括硅。

8.如权利要求1所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，所述基底包括n级像素区，第1级至第n-1级的每一级像素区内均具有所述第一沟道、掺杂区和第一栅极结构；还包括：位于第n级像素区基底内的第二沟道；位于第二沟道表面的第二栅极结构。

9.如权利要求8所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，所述基底包括n级像素区，第1级至第n级的每一级像素区内均具有所述第一沟道、掺杂区和第一栅极结构。

10.如权利要求1所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，所述基底还包括阱区，所述阱区内掺杂有第三离子，所述第三离子与第一离子的导电类型相反，所述阱区接地。

11.如权利要求1所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，还包括：位于所述第一栅极结构表面的金属互连层。

12.一种CMOS-TDI图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底内具有第一沟道，所述第一沟道内掺杂有第一离子；

在所述第一沟道的顶部形成若干个相互分立的掺杂区，所述掺杂区内具有第二离子，所述第二离子与第一离子的导电类型相反；

在所述第一沟道表面形成第一栅极结构，所述第一栅极结构横跨若干个所述掺杂区；

所述第一栅极结构不仅与所述第一沟道接触，还与所述若干个掺杂区接触。

13.如权利要求12所述的CMOS-TDI图像传感器的形成方法，其特征在于，所述基底包括n级像素区，第1级至第n级的每一级像素区内均具有所述第一沟道、掺杂区和第一栅极结构时，所述掺杂区的形成方法包括：在各个第一沟道的部分表面形成掩膜层；以所述掩膜层为掩膜，在所述第一沟道顶部形成若干个所述掺杂区。