[发明专利]一种氮化铝模板、深紫外发光二极管外延片及其制备方法

权利要求书

1.一种氮化铝模板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一平片衬底；

采用磁控溅射技术在所述平片衬底上沉积氮化铝成核层，所述氮化铝成核层的厚度为200nm～800nm；

采用光刻技术和蚀刻技术对所述氮化铝成核层进行图形化，所述氮化铝成核层变成多个间隔设置在所述平片衬底上的周期结构，相邻两个所述周期结构之间的距离为200nm～800nm；

在1300℃～1600℃的氮气气氛下，对多个所述周期结构进行1300℃～1600℃的退火处理；

采用物理沉积技术在多个所述周期结构和各个所述周期结构之间的平片衬底上形成用于抑制外延生长的介质，所述介质的厚度为20nm～200nm；

采用光刻技术和蚀刻技术去除多个所述周期结构上的介质；

采用金属有机化合物化学气相沉淀技术在多个所述周期结构上外延生长氮化铝外延层，所述氮化铝外延层的厚度为1μm～5μm，所述氮化铝外延层在所述介质上横向聚合，形成二维平面状的氮化铝模板。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述蚀刻技术为湿法腐蚀技术或者等离子刻蚀技术。

3.一种深紫外发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

采用如权利要求1或2所述的制备方法形成氮化铝模板；

在所述氮化铝模板上依次外延生长N型半导体层、有源层和P型半导体层。

4.一种氮化铝模板，其特征在于，所述氮化铝模板采用如权利要求1或2所述的制备方法形成，所述氮化铝模板包括平片衬底、氮化铝成核层、氮化铝外延层和用于抑制外延生长的介质，所述氮化铝成核层包括多个间隔设置在所述平片衬底上的周期结构，所述介质设置在各个所述周期结构之间的平片衬底上，所述氮化铝外延层设置在多个所述周期结构上并在所述介质上横向聚合。

5.根据权利要求4所述的氮化铝模板，其特征在于，所述周期结构的形状为圆柱、圆台和圆锥中的一种，相邻两个所述周期结构之间的距离相等。

6.一种深紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述深紫外发光二极管外延片包括如权利要求4或5所述的氮化铝模板、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述氮化铝模板上。