[发明专利]一种高强度高伸长率聚芳酰胺薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201811288606.4 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109294228A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 边莎;冯娇;孙伟 | 申请（专利权）人： | 中国久远高新技术装备公司 |
| 主分类号： | C08L77/10 | 分类号： | C08L77/10;C08J5/18 |
| 代理公司： | 四川省成都市天策商标专利事务所 51213 | 代理人： | 刘兴亮 |
| 地址： | 100000*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 断裂伸长率 制备 对位聚芳酰胺 聚芳酰胺薄膜 调节剂 衣架 电子电气产品 间位聚芳酰胺 高分子复合 高分子树脂 抗撕裂性能 成品薄膜 低结晶性 挤出成型 力学性能 流延模头 实际需求 双向拉伸 增强薄膜 真空脱泡 高韧性 结晶性 耐温性 浓硫酸 伸长率 树脂 二唑 烘干 均一 流延 热学 薄膜 力学 清洗 凝固 溶解 引入 生产 | ||
1.一种高断裂伸长率聚芳酰胺薄膜，其特征在于：由聚芳酰胺和柔性分子链结构的断裂伸长率调节剂复合而成。
2.根据权利要求1所述的高断裂伸长率聚芳酰胺薄膜，其特征在于：所述聚芳酰胺为对位聚芳酰胺，所述断裂伸长率调节剂为具有柔性分子链结构的高分子树脂。
3.根据权利要求2所述的高断裂伸长率聚芳酰胺薄膜，其特征在于：所述断裂伸长率调节剂是间位聚芳酰胺、聚芳噁二唑、聚砜基酰胺中的一种或几种的混合物。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的高断裂伸长率聚芳酰胺薄膜，其特征在于：所述复合是通过将对位聚芳酰树脂与断裂伸长率调节剂高分子按照0.5～20％重量比，在浓硫酸中溶解混合后，形成总浓度为10～20％，温度范围为70～95℃的复合溶液，经真空脱泡、衣架式模头流延挤出成型、凝固、清洗、双向拉伸、烘干工序制备。
5.根据权利要求4所述的高断裂伸长率聚芳酰胺薄膜，其特征在于：对位聚芳酰树脂与断裂伸长率调节剂高分子之比为1～12％。
6.根据权利要求4所述的高断裂伸长率聚芳酰胺薄膜，其特征在于：对位聚芳酰树脂与断裂伸长率调节剂高分子之比为3～10％。
7.一种高断裂伸长率聚芳酰胺薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将对位聚芳酰胺树脂和断裂伸长率调节剂以0.5～20％(重量比)溶解于浓硫酸中形成均一的高分子复合溶液；
进行充分真空脱泡处理；
经衣架式或T型流延模头流延挤出成型、凝固、清洗、双向拉伸、烘干工序，制备得到高断裂伸长率的高性能成品薄膜。
8.根据权利要求7所述的高断裂伸长率聚芳酰胺薄膜制备方法，其特征在于:所述高分子复合溶液总浓度为10～20％，所述制备是在70～95℃温度条件下进行的。
9.根据权利要求8所述的高断裂伸长率聚芳酰胺薄膜制备方法，其特征在于:所述的对位聚芳酰胺浆液的特性粘数为2～6.0dL/g，断裂伸长率调节剂高分子的特性粘数为1.5～2.5dL/g。
10.根据权利要求7-9中任一项所述的高断裂伸长率聚芳酰胺薄膜制备方法，其特征在于:所述断裂伸长率调节剂是间位聚芳酰胺、聚芳噁二唑、聚砜基酰胺中的一种或几种的混合物。
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