[发明专利]一种碳化硅器件制造方法

权利要求书

1.一种碳化硅器件制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：在SiC外延片上生长SiO₂掩膜层；

步骤2：将带有SiO₂掩膜层的SiC外延片放入SiC刻蚀机中进行刻蚀，得到SiC沟槽；

步骤3：对带有SiC沟槽的SiC外延片进行退火。

2.根据权利要求1所述的碳化硅器件制造方法，其特征在于，所述步骤1之前包括：

清洗SiC外延片。

3.根据权利要求2所述的碳化硅器件制造方法，其特征在于，所述步骤1具体为：

步骤11：在SiC外延片上淀积形成2～4μm的SiO₂掩膜；

步骤12：在所述SiO₂掩膜上表面涂布光刻胶层，并通过光刻、显影形成光刻图形；

步骤13：以光刻胶层为掩膜，干法刻蚀所述SiO₂掩膜，形成第一沟槽；

步骤14：以光刻胶层为掩膜，对所述第一沟槽进行湿法刻蚀，形成SiO₂掩膜层。

4.根据权利要求3所述的碳化硅器件制造方法，其特征在于，所述步骤2具体为：

步骤21；以SiO₂掩膜层为掩膜，干法刻蚀所述SiC外延片，形成第二沟槽；

步骤22：以SiO₂掩膜层为掩膜，对所述第二沟槽进行氧化刻蚀，得到SiC沟槽；

步骤23：将带有SiC沟槽的SiC外延片在缓冲氧化硅腐蚀液中浸泡2分钟。

5.根据权利要求4所述的碳化硅器件制造方法，其特征在于，所述步骤3包括：

通入氯气和氧化性气体进行沟槽退火，其中，氯气的速率为10sccm～100sccm，氧化性气体的速率为20sccm～100sccm，载体气体的速率为20sccm～100sccm。

6.根据权利要求4所述的碳化硅器件制造方法，其特征在于，所述步骤3之后包括：

使用HF酸浸泡SiC外延片1～10min去除SiO₂掩膜层。

7.根据权利要求4所述的碳化硅器件制造方法，其特征在于，所述缓冲氧化硅腐蚀液中NH₄F：HF＝7:1。

8.根据权利要求4所述的碳化硅器件制造方法，其特征在于，步骤13具体为：

将带有光刻胶层的SiC外延片放入刻蚀机中；

在85mTorr～95mTorr压力下，向刻蚀机通入25sccm的CHF₃、5sccm的SF₆及3sccm的Ar，持续通入2～10分钟。

9.根据权利要求4所述的碳化硅器件制造方法，其特征在于，所述步骤21具体为：

将带有SiO₂掩膜层的SiC外延片放入刻蚀机中；

在10mTorr～50mTorr压力下，向刻蚀机通入速率为10sccm～80sccm的SF₆或CF₄，速率为5sccm～40sccm的O₂，持续时间2～10分钟。

10.根据权利要求4所述的碳化硅器件制造方法，其特征在于，所述氧化刻蚀具体为：

将带有第二沟槽的SiC外延片放入氧化炉管中，其中氧化炉管温度为1100℃，压强为880mbar；

向所述氧化炉管中通入1.6slm的H₂和1slm的O₂，持续通入10分钟。