[发明专利]一种DO-13型瞬态电压抑制二极管在审
申请号: | 201811289311.9 | 申请日: | 2018-10-31 |
公开(公告)号: | CN109244143A | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 王智;石仙宏;孟繁新;胡靓;韩丹 | 申请(专利权)人: | 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂) |
主分类号: | H01L29/861 | 分类号: | H01L29/861 |
代理公司: | 贵阳睿腾知识产权代理有限公司 52114 | 代理人: | 谷庆红 |
地址: | 550018 贵州省*** | 国省代码: | 贵州;52 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 管芯 瞬态电压抑制二极管 厚铜片 管座 恒定 加速度试验 中心连接 中心设置 装配难度 薄铜片 低电容 内引线 引出线 高端 封装 应用 保证 | ||
1.一种DO-13型瞬态电压抑制二极管,包括管芯A(2)和管芯B(4),其特征在于:管芯A(2)和管芯B(4)之间通过薄铜片(3)连接,管芯A(2)的中心连接有内引线(1),管芯B(4)的另一端与厚铜片(5)连接,厚铜片(5)的另一端与管座(6)连接,管座(6)中心设置有引出线与厚铜片(5)连接。
2.如权利要求1所述的DO-13型瞬态电压抑制二极管,其特征在于:所述管芯A(2)为低掺杂二极管管芯。
3.如权利要求1所述的DO-13型瞬态电压抑制二极管,其特征在于:所述管芯B(4)位瞬态电压二极管管芯。
4.如权利要求1所述的DO-13型瞬态电压抑制二极管,其特征在于:所述薄铜片(3)的厚度为0.厚铜片(5)mm。
5.如权利要求1所述的DO-13型瞬态电压抑制二极管,其特征在于:所述厚铜片(5)的厚度为内引线(1)mm。
6.如权利要求1所述的DO-13型瞬态电压抑制二极管,其特征在于:所述薄铜片(3)和厚铜片(5)的两个端面均为平面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂),未经中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811289311.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种LDMOS及其制造方法
- 下一篇:一种超快恢复低成本二极管及其制作工艺
- 同类专利
- 专利分类