[发明专利]刻蚀方法

权利要求书

1.一种刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括如下步骤：

1)提供一基底；

2)于所述基底上形成待刻蚀材料层，所述待刻蚀材料层的上表面具有高度差；

3)于所述待刻蚀材料层的上表面形成抗反射层；

4)于所述抗反射层的上表面形成光致酸产生剂层；

5)对所述光致酸产生剂层进行曝光，以使得所述光致酸产生剂层曝光区域上部形成酸化区域；

6)对所述酸化区域进行处理，以使得所述酸化区域转化为掩膜层；

7)依据所述掩膜层依次刻蚀所述光致酸产生剂层、所述抗反射层及所述待刻蚀材料层。

2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，步骤1)与步骤2)之间还包括如下步骤：

于所述基底的上表面形成刻蚀阻挡层；

于所述刻蚀阻挡层的上表面形成图形结构；

步骤2)中，所述待刻蚀材料层形成于所述刻蚀阻挡层的上表面，且所述刻蚀材料层覆盖所述图形结构。

3.根据权利要求2所述的刻蚀方法，其特征在于，所述待刻蚀材料层包括待刻蚀区域及非刻蚀区域，所述图形结构位于所述非刻蚀区域；所述待刻蚀材料层非刻蚀区域的上表面的高度高于所述待刻蚀材料层待刻蚀区域的上表面的高度。

4.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，步骤6)包括如下步骤：

6-1)对所述酸化区域进行烘烤，以使得所述酸化区域发生催化反应而生成可与含硅气体发生离子反应的聚合物；

6-2)将所述聚合物与含硅气体进行反应以生成所述掩膜层。

5.根据权利要求4所述的刻蚀方法，其特征在于，步骤6-1))中对所述酸化区域进行烘烤的温度为100℃～150℃。

6.根据权利要求4所述的刻蚀方法，其特征在于，所述含硅气体包括甲硅烷。

7.根据权利要求4所述的刻蚀方法，其特征在于，所述掩膜层包括氧化硅层。

8.根据权利要求4所述的刻蚀方法，其特征在于，采用反应离子刻蚀工艺依次刻蚀所述光致酸产生剂层、所述抗反射层及所述待刻蚀材料层。

9.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，步骤5)中形成的所述酸化区域的厚度及所述步骤6)中形成的所述掩膜层的厚度均小于所述光致酸产生剂层的厚度。

10.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，步骤7)中之后，还包括去除所述掩膜层、所述光致酸产生剂层及所述抗反射层的步骤。