[发明专利]一种可实现磁状态转换的微流控芯片有效
| 申请号： | 201811290085.6 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109248721B | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 王光辉;刘伉伉;谭杰;王夷惠;张畅斌 | 申请（专利权）人： | 南京大学;南京碟光生物科技有限公司 |
| 主分类号： | B01L3/00 | 分类号： | B01L3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210023 江苏省南京市栖霞区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 实现 状态 转换 微流控 芯片 | ||
1.一种可实现磁状态转换的微流控芯片，包括上层芯片、下层芯片，上层芯片与下层芯片共同的旋转轴，其特征在于，上层芯片上设置有一个以旋转轴为圆心的弧形缺口，下层芯片上设置有控制杆，所述控制杆穿过所述弧形缺口，使上层芯片与下层芯片在弧形缺口与控制杆限制的范围内相对旋转移动，下层芯片上设置有磁块，上层芯片上设置有样品腔，所述磁块与所述样品腔与所述旋转轴的半径距离相同，所述上层芯片和所述下层芯片围统旋转轴相对运动时，可实现所述磁块与所述样品腔的“重叠”与“分离”。
2.根据权利要求1所述可实现磁状态转换的微流控芯片，其特征在于，下层芯片与旋转轴相固定，上层芯片可围绕旋转轴自由旋转。
3.根据权利要求1所述可实现磁状态转换的微流控芯片，其特征在于，上层芯片与旋转轴相固定，下层芯片可围绕旋转轴自由旋转。
4.根据权利要求1至３中任一项所述可实现磁状态转换的微流控芯片，其特征在于，控制杆设置于上层芯片，弧形缺口设置于下层芯片。
5.根据权利要求1至３中任一项所述可实现磁状态转换的微流控芯片，其特征在于，磁块设置在上层芯片，样品腔设置在下层芯片。
6.根据权利要求1至３中任一项所述可实现磁状态转换的微流控芯片，其特征在于，沿着同一个以旋转轴为圆心的圆依次设置多个磁块及样品腔。
7.根据权利要求1至３中任一项所述可实现磁状态转换的微流控芯片，其特征在于，沿着多个以旋转轴为圆心的圆依次设置多个磁块及样品腔。
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