[发明专利]薄膜晶体管结构及沟道电阻和接触电阻的测量方法有效
| 申请号： | 201811290149.2 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109637944B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 朱茂霞 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544;G01R27/20;G01R27/08 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂;王中华 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 结构 沟道 电阻 接触 测量方法 | ||
1.一种沟道电阻和接触电阻的测量方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、提供一薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：衬底基板(1)、设于所述衬底基板(1)上的栅极(2)、设于所述栅极(2)上的栅极绝缘层(3)、设于所述栅极绝缘层(3)上的有源层(4)以及设于所述有源层(4)上的依次间隔排列的源极(5)、测量电极(6)和漏极(7)；所述测量电极(6)与所述源极(5)之间的间隔距离不同于所述测量电极(6)与所述漏极(7)之间的间隔距离；
步骤S2、将所述薄膜晶体管的源极(5)接地，漏极(7)接入第一电压，并测量流过所述薄膜晶体管的漏极(7)的电流和测量电极(6)上的电压；
步骤S3、根据流过所述薄膜晶体管的漏极(7)的电流和测量电极(6)上的电压，确定所述薄膜晶体管的沟道电阻和接触电阻；
其中，确定所述薄膜晶体管的沟道电阻和接触电阻的公式为：
其中，R1为沟道电阻，R2为接触电阻，VA为测量电极(6)上的电压，V1为第一电压，XA为测量电极(6)与源极(5)之间的间隔距离，L为沟道长度，ID为流过所述薄膜晶体管的漏极(7)的电流。
2.如权利要求1所述的沟道电阻和接触电阻的测量方法，其特征在于，所述有源层(4)的材料为非晶硅，其包括设于所述栅极绝缘层(3)上的非掺杂层(41)以及位于所述源极(5)与所述非掺杂层(41)之间、测量电极(6)与所述非掺杂层(41)之间及漏极(7)与所述非掺杂层(41)之间的掺杂层(42)。
3.如权利要求2所述的沟道电阻和接触电阻的测量方法，其特征在于，所述掺杂层(42)为N型掺杂层。
4.如权利要求1所述的沟道电阻和接触电阻的测量方法，其特征在于，所述有源层(4)的材料为金属氧化物半导体材料。
5.如权利要求1所述的沟道电阻和接触电阻的测量方法，其特征在于，所述测量电极(6)与所述源极(5)之间的间隔距离大于所述测量电极(6)与所述漏极(7)之间的间隔距离。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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