[发明专利]鳍式场效晶体管(FinFET)装置结构在审
| 申请号： | 201811290156.2 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109801969A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 张中怀;王朝勋;赵高毅;王美匀 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/528;H01L21/768;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳;李琛 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 鳍式场效晶体管 装置结构 源极/漏极 隔离层 阻障层 导电插塞 栅极接触 第二导电层 第一导电层 接触结构 栅极结构 鳍结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种鳍式场效晶体管装置结构，包括：
一栅极结构，形成在一鳍结构上；
一源极/漏极接触结构，形成在该鳍结构上；
一源极/漏极导电插塞，形成在该源极/漏极接触结构上，其中该源极/漏极导电插塞包括一第一阻障层和一第一导电层；
一栅极接触结构，形成在该栅极结构上，其中该栅极接触结构包括一第二阻障层和一第二导电层；
一第一隔离层，围绕该源极/漏极导电插塞，其中该第一阻障层在该第一隔离层和该第一导电层之间；以及
一第二隔离层，围绕该栅极接触结构，其中该第二阻障层在该第二隔离层和该第二导电层之间。
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