[发明专利]一种宽频射频低噪声放大器的集成电路

权利要求书

1.一种宽频射频低噪声放大器的集成电路，其特征在于，包括：

信号转换模块，用于将电压信号转换为电流信号，并提供阻抗匹配的输入阻抗；

直流电流隔绝模块，连接所述信号转换模块，用于隔绝所述电流信号中的直流信号，传输所述电流信号中的交流信号；

增益提升模块，连接所述直流电流隔绝模块，用于增大所述交流信号的增益和反向隔离度，并提供阻抗匹配的输出阻抗；

所述信号转换模块包括第一匹配网络、第一放大管(M₁)、第一电感(L₁)和第一阻塞器，其中，

所述第一匹配网络串接于输入端(Vin)与所述第一放大管(M₁)的栅极之间，所述第一电感(L₁)串接于所述第一放大管(M₁)的源极和接地端(GND)之间，所述第一放大管(M₁)的漏极分别连接于所述第一阻塞器的一端和所述直流电流隔绝模块的一端，所述第一阻塞器的另一端连接于电源端(VDD)；

所述第一匹配网络包括第二电感(L₂)和第一电容(C₁)，其中，

所述第二电感(L₂)的一端连接于输入端(Vin)，所述第二电感(L₂)的另一端分别连接于所述第一放大管(M₁)的栅极和所述第一电容(C₁)的一端，所述第一电容(C₁)的另一端连接于所述第一放大管(M₁)的源极与所述第一电感(L₁)的一端，所述第一电感(L₁)的另一端连接于接地端(GND)。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第一阻塞器包括第二电容(C₂)和第三电感(L₃)，其中，

所述第二电容(C₂)和所述第三电感(L₃)并接形成的一端连接于所述第一放大管(M₁)的漏极和所述直流电流隔绝模块的一端，所述第二电容(C₂)和所述第三电感(L₃)并接形成的另一端连接于电源端(VDD)。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第一放大管(M₁)为NMOS管。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述增益提升模块包括第二匹配网络、第二放大管(M₂)和第二阻塞器，其中，

所述第二匹配网络串接于所述第二放大管(M₂)的漏极和输出端(Vout)之间，所述第二放大管(M₂)的源极连接于所述直流电流隔绝模块的另一端和所述第二阻塞器的一端，所述第二放大管(M₂)的栅极连接于偏置源(Vb)，所述第二阻塞器的另一端连接于接地端(GND)；

所述第二匹配网络包括第三电容(C₃)和第四电感(L₄)，其中，

所述第三电容(C₃)的一端连接于输出端(Vout)，所述第三电容(C₃)的另一端连接于所述第四电感(L₄)的一端和所述第二放大管(M₂)的漏极，所述第四电感(L₄)的另一端连接于电源端(VDD)。

5.根据权利要求4所述的集成电路，其特征在于，所述第二阻塞器包括第四电容(C₄)和第五电感(L₅)，其中，

所述第四电容(C₄)和所述第五电感(L₅)并接形成的一端连接于所述直流电流隔绝模块的另一端和所述第二放大管(M₂)的源极，所述第四电容(C₄)和所述第五电感(L₅)并接形成的另一端连接于接地端(GND)。