[发明专利]显示屏及显示终端有效
申请号: | 201811290608.7 | 申请日: | 2018-10-31 |
公开(公告)号: | CN110767681B | 公开(公告)日: | 2022-12-13 |
发明(设计)人: | 宋艳芹;张露;楼均辉;王欢;刘权;徐琳 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/33 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凯 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示屏 显示 终端 | ||
1.一种显示屏,其特征在于,具有相邻的第一显示区和第二显示区;所述第二显示区至少部分区域被所述第一显示区包围;所述第一显示区和所述第二显示区均用于显示动态或者静态画面;
所述第一显示区内的信号线被所述第二显示区隔断;被所述第二显示区隔断的信号线中,位于所述第二显示区一侧的为第一信号线,位于所述第二显示区另一侧的为第二信号线;所述第二显示区中设置有多条信号连接线;所述信号连接线贯穿所述第二显示区的两侧,并连通所述第一信号线和所述第二信号线,所述信号连接线为波浪形走线;在所述信号连接线的延伸方向上,所述信号连接线的宽度连续变化或间断变化。
2.根据权利要求1所述的显示屏,其特征在于,所述第二显示区包括相邻的第一子显示区和第二子显示区;所述第二子显示区下方可设置感光器件;多条所述信号连接线设置在所述第一子显示区。
3.根据权利要求2所述的显示屏,其特征在于,所述显示屏包括第一显示面板和第二显示面板;所述第一显示面板设置于所述第一显示区;所述第二显示面板设置于所述第二显示区,所述第一显示面板为AMOLED显示面板;所述第二显示面板为PMOLED显示面板;所述第二显示面板包括:
基板;
形成于所述基板上的第一电极层;以及
形成于所述第一电极层上的像素定义层;
其中,所述信号连接线设置于所述像素定义层下方,且位于所述第一电极层和所述基板之间,并在所述信号连接线和所述第一电极层之间设置有信号屏蔽层;或者,所述信号连接线设置于所述像素定义层下方,且位于所述第一电极层上方,并在所述信号连接线和所述第一电极层之间设置有信号屏蔽层。
4.根据权利要求3所述的显示屏,其特征在于,所述第一电极层包括多个波浪形的第一电极;多个所述第一电极沿相同的方向并行延伸,且相邻的第一电极间具有间距;在所述第一电极的延伸方向上,所述第一电极的宽度连续变化或间断变化,且所述间距连续变化或间断变化;和/或
所述像素定义层上形成有多个像素开口,所述像素开口的形状为圆形、椭圆形、哑铃形或者葫芦形。
5.根据权利要求2所述的显示屏,其特征在于,所述显示屏包括第一显示面板和第二显示面板;所述第一显示面板设置于所述第一显示区;所述第二显示面板设置于所述第二显示区;所述第一显示面板为AMOLED显示面板;所述第二显示面板为AMOLED显示面板或者类AMOLED显示面板;所述类AMOLED显示面板的像素电路仅包含一个开关元件;
所述第二显示面板包括:
基板;
像素电路;
形成于所述像素电路上的第一电极层;以及
形成于所述第一电极层上的像素定义层;
其中,所述信号连接线设置于所述像素定义层下方,且位于所述像素电路的下方,或者所述信号连接线设置于所述像素定义层下方,且与所述像素电路中的导电层在同一工艺步骤中形成,或者所述信号连接线设置于所述像素定义层下方,且位于所述像素电路与所述第一电极层之间;所述信号连接线与所述第一电极层之间形成有信号屏蔽层。
6.根据权利要求5所述的显示屏,其特征在于,所述第一电极层包括多个相互独立的第一电极;每个第一电极对应一个发光结构;所述第一电极为圆形、椭圆形、哑铃形或者葫芦形;和/或
所述像素定义层上形成有多个像素开口;所述像素开口的形状为圆形、椭圆形、哑铃形或者葫芦形。
7.根据权利要求3或5所述的显示屏,其特征在于,所述第一子显示区的像素定义层的材料为不透光材质,所述信号连接线为金属或者透明金属氧化物材质;或者所述第二显示区的像素定义层的材料为透光材质,所述信号连接线为透明金属氧化物材质。
8.根据权利要求7所述的显示屏,其特征在于,所述信号连接线分布于不同的导电材料层,并通过接触孔连接;和/或多条所述信号连接线在所述第一子显示区内相互平行设置。
9.根据权利要求3或5所述的显示屏,其特征在于,所述信号屏蔽层包括形成于所述信号连接线和所述第一电极层之间的绝缘层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的