[发明专利]一种用于铸锭炉的防回流真空泵在审

专利信息
申请号: 201811291052.3 申请日: 2018-10-31
公开(公告)号: CN109162925A 公开(公告)日: 2019-01-08
发明(设计)人: 汪伟华 申请(专利权)人: 浙江羿阳太阳能科技有限公司
主分类号: F04C25/02 分类号: F04C25/02;F04C23/02;F04C18/16;F04C29/00;F04C29/12;F04C28/28
代理公司: 浙江永鼎律师事务所 33233 代理人: 陆永强
地址: 313200 浙江省湖州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 抽空腔 真空泵 主出口 防回流 副出口 控制箱 铸锭炉 壳体 隔板 单向阀 进风口 横向设置 壳体内壁 外界气体 电连接 机械油 减小 卡套 能耗 输出 出口 配合
【说明书】:

发明公开了一种用于铸锭炉的防回流真空泵,包括壳体,壳体的内部横向设置有隔板,隔板与壳体内壁之间形成抽空腔室一和抽空腔室二,壳体的两侧且位于抽空腔室二的底部分别设置有进风口和控制箱,抽空腔室二的顶部且位于控制箱的上方设置有主出口,抽空腔室一的一侧且位于主出口的上方设置有与主出口相配合的副出口,主出口内部且位于抽空腔室二与副出口之间设置有单向阀,主出口上且位于副出口远离单向阀的一侧卡套有防回流机构,且控制箱与防回流机构电连接。有益效果:真空泵在输出大功率的同时可以减小能耗;在真空泵出现故障时,外界气体不能通过主出口回流,真空泵内的机械油也无法通过进风口倒流入铸锭炉内。

技术领域

本发明涉及真空泵技术领域,具体来说,涉及一种用于铸锭炉的防回流真空泵。

背景技术

硅是自然界常见的一种化学元素,其熔点为1414℃,用于太阳能级多晶硅纯度一般在99.99%以上。多晶硅铸锭炉是一种专业的硅重熔设备,用于生产大量合格的太阳能用多晶硅铸锭。生产中,将达到一定纯度要求的多晶硅装入炉中,按工艺要求加热熔化、定向长晶、热处理、冷却出炉。针对多晶硅铸锭行业工艺的特殊性,在开始炉子抽空阶段,要求能快速的抽到0.8Pa以下的压力,在熔解和冷却阶段需要充入氮气防止氧化,并保持炉内氮气压力在60000Pa,此时需要真空系统能长时间进行维持。

目前,现在使用多晶铸锭炉的大部分厂家都使用真空泵直接抽真空,真空泵与铸锭炉之间直接由抽气管相连通,若真空泵在使用过程中出现故障,如电机故障、皮带断裂、主轴断裂等,真空泵将停止工作。进而导致铸锭炉内的压力低于外界大气压,两者之间形成较大压力差,导致外界气体回流炉腔,从而导致真空泵内的机械油会通过抽气管倒流至炉腔内,由于炉腔内温度很高,机械油呈雾状直接喷入铸锭炉内,导致炉腔内的晶锭、加热器等被污染,直接报废,全部更换新零件,给厂家带来巨大的损失。

针对相关技术中的问题,目前尚未提出有效的解决方案。

发明内容

针对相关技术中的问题,本发明提出一种用于铸锭炉的防回流真空泵,以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。

为此,本发明采用的具体技术方案如下:

一种用于铸锭炉的防回流真空泵,包括壳体,所述壳体的内部横向设置有隔板,所述隔板与所述壳体内壁之间形成抽空腔室一和抽空腔室二,所述壳体的两侧且位于所述抽空腔室二的底部分别设置有进风口和控制箱,所述抽空腔室二的顶部且位于所述控制箱的上方设置有主出口,所述抽空腔室一的一侧且位于所述主出口的上方设置有与所述主出口相配合的副出口,所述主出口内部且位于所述抽空腔室二与所述副出口之间设置有单向阀,所述主出口上且位于所述副出口远离所述单向阀的一侧卡套有防回流机构,且所述控制箱与所述防回流机构电连接。

进一步的,所述隔板上纵向穿插设置有转轴一和位于所述转轴一一侧的转轴二,所述转轴一的一端与所述转轴二的一端与所述抽空腔室二的内壁连接,所述转轴一的另一端与所述转轴二的另一端贯穿所述抽空腔室一并延伸至所述抽空腔室一外部,所述转轴一上且位于所述抽空腔室一和所述抽空腔室二的内部分别套设有转子元件一和转子元件二,所述转轴二上且位于所述抽空腔室一和所述抽空腔室二的内部分别套设有转子元件三和转子元件四,并且,所述转子元件一与所述转子元件三相啮合,所述转子元件二与所述转子元件四相啮合。

进一步的,所述转轴一上且位于所述壳体外部套设置有齿轮一,所述转轴二上且位于所述壳体外部套设置有与所述齿轮一相啮合的齿轮二,所述转轴一的另一端设置有与所述控制箱电连接的电机一。

进一步的,所述隔板上且位于所转轴一与所述壳体内壁之间开设有通孔。

进一步的,所述抽空腔室二远离所述隔板的一侧内壁设置有与所述转轴二相配合的磁铁,所述转轴二上设置有与所述磁铁相配合的霍尔传感器,所述霍尔传感器与所述控制箱及所述防回流机构之间依次电连接。

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