[发明专利]存储器控制器及其操作方法

说明书

本发明涉及一种控制存储器装置的操作的存储器控制器，该存储器控制器包括请求接收电路和数据特性存储电路。请求接收电路从主机接收清除请求和与清除请求相对应的逻辑地址，并且响应于接收的清除请求生成控制信号。数据特性存储电路存储冷数据列表，并且响应于来自请求接收电路的控制信号更新冷数据列表。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年3月12日提交的申请号为10-2018-0028831的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开的各个实施例总体涉及一种电子装置。特别地，实施例涉及一种存储器控制器及其操作方法。

背景技术

存储器装置可被形成为串水平布置的二维结构，或者被形成为串垂直布置的三维结构。为克服二维半导体存储器装置中集成度的限制，设计了三维半导体存储器装置。三维半导体存储器装置可包括垂直堆叠在半导体衬底上的多个存储器单元。存储器控制器控制存储器装置的操作。

发明内容

实施例提供了一种能够提高存储器装置的操作可靠性的存储器控制器。

实施例还提供了一种能够提高存储器装置的操作可靠性的存储器控制器的操作方法。

根据本公开的一个方面，提供了一种用于控制存储器装置的操作的存储器控制器，该存储器控制器包括：请求接收电路，其被配置成从主机接收清除请求和与清除请求相对应的逻辑地址，并且响应于接收的清除请求生成控制信号；以及数据特性存储电路，其被配置成存储冷数据列表，并且响应于来自请求接收电路的控制信号更新冷数据列表。

数据特性存储电路可更新冷数据列表，以表示存储在与接收的清除请求相对应的逻辑地址处的数据是冷数据。

存储器控制器可进一步包括写入缓冲器，其被配置成存储从主机接收的写入数据。请求接收电路可控制写入缓冲器，使得与接收的清除请求相对应的写入数据被优先输出到存储器装置。

存储器控制器可进一步包括损耗均衡控制电路，其被配置成基于存储在数据特性存储电路中的冷数据列表来控制存储器装置的损耗均衡操作。

冷数据列表可被配置成存储与接收的清除请求相对应的逻辑地址条目。当冷数据列表中不存在与接收的清除请求相对应的逻辑地址条目时，数据特性存储电路可生成与接收的清除请求相对应的逻辑地址条目，并且更新冷数据列表以将与生成的逻辑地址条目相对应的数据的特性设置为冷数据。

当冷数据列表中存在与接收的清除请求相对应的逻辑地址条目时，数据特性存储电路可更新冷数据列表以将与逻辑地址条目相对应的数据的特性改变为正常数据，其中该逻辑地址条目对应于清除请求。

当被改变为正常数据的与逻辑地址条目相对应的数据的特性在阈值时间内未被改变回冷数据时，数据特性存储电路可更新冷数据列表以删除该逻辑地址条目。

当被改变为正常数据的与逻辑地址条目相对应的数据的特性在阈值时间内未被再次改变时，数据特性存储电路可更新冷数据列表以将与该逻辑地址条目相对应的数据的特性改变为冷数据。

当与包括在冷数据列表中的逻辑地址条目相对应的数据被删除时，数据特性存储电路可更新冷数据列表以删除该逻辑地址条目。

冷数据列表可被配置成存储与多个逻辑地址区域相关的清除写入数量，其中该多个逻辑地址区域与存储器装置的使用区域相对应。当与接收的清除请求相对应的逻辑地址区域的清除写入数量为0时，数据特性存储电路可将与接收的清除请求相对应的逻辑地址区域的清除写入数量增加1，并且更新冷数据列表以将与该逻辑地址区域相对应的数据的特性设置为冷数据。

当与接收的清除请求相对应的逻辑地址区域的清除写入数量为1时，数据特性存储电路可将与接收的清除请求相对应的逻辑地址区域的清除写入数量增加1，并且更新冷数据列表以将与该逻辑地址区域相对应的数据的特性设置为正常数据。