[发明专利]一种微桥结构、微电子器件及微桥结构的制作方法

权利要求书

1.一种微桥结构，其特征在于，包括：

读出电路基底，该读出电路基底上制作有用于读出电路引出的第一引出电极；

位于所述读出电路基底一侧且覆盖所述第一引出电极的第一钝化层；

位于所述第一钝化层远离所述读出电路基底一侧的第二引出电极；

位于所述第一钝化层远离所述读出电路基底一侧的第二钝化层，该第二钝化层覆盖所述第二引出电极的部分区域；

位于所述第二引出电极远离所述第一钝化层一侧的桥墩结构，该桥墩结构与所述第二引出电极接触；

其中，所述第一钝化层上开设有贯穿该第一钝化层两侧的第一通孔，所述第一通孔中填充有用于所述第一引出电极与所述第二引出电极连接的第一连接电极。

2.根据权利要求1所述的微桥结构，其特征在于，所述桥墩结构包括：

位于所述第二引出电极远离所述第二钝化层一侧的第一支撑结构，该第一支撑结构上开设有第二通孔；

位于所述第一支撑结构中的第二连接电极，该第二连接电极通过所述第二通孔与所述第二引出电极接触；

位于所述第二连接电极远离所述第一支撑结构一侧的第一保护层。

3.根据权利要求2所述的微桥结构，其特征在于，所述第一支撑结构包括U型结构。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的微桥结构，其特征在于，所述第一钝化层包括位于所述读出电路基底一侧且覆盖所述第一引出电极的氧化硅材料层；以及位于所述氧化硅材料层远离所述读出电路基底一侧的氮化硅材料层。

5.根据权利要求2所述的微桥结构，其特征在于，所述微桥结构还包括与所述桥墩结构连接的桥面结构，该桥面结构位于所述第二钝化层远离所述第一钝化层的一侧，且与所述第二钝化层间隔设置。

6.根据权利要求5所述的微桥结构，其特征在于，所述桥面结构包括：

位于所述第二钝化层远离所述第一钝化层一侧的第二支撑结构；

位于所述第二支撑结构远离所述第二钝化层一侧的感应层；

位于所述感应层远离所述第二支撑结构一侧的第二保护层，其中，所述感应层与所述第二连接电极接触连接。

7.根据权利要求6所述的微桥结构，其特征在于，所述感应层包括由热敏材料制成的热敏层。

8.根据权利要求6或7所述的微桥结构，其特征在于，所述微桥结构还包括反射层，所述反射层位于所述第一钝化层与所述第二钝化层之间，且所述反射层与所述桥面结构在同一投影面的投影部分重合。

9.一种微电子器件，其特征在于，所述微电子器件包括上述权利要求1-8中任一项所述的微桥结构。

10.一种微桥结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一设置有第一引出电极的读出电路基底；

在所述读出电路基底设置有第一引出电极的一侧制作形成第一钝化层；

在所述第一钝化层上制作形成与所述第一引出电极连通的第一通孔，在所述第一通孔中制作第一连接电极；

在所述第一钝化层远离所述读出电路基底的一侧制作依次制作第二引出电极、第二钝化层和牺牲层；

在所述牺牲层远离所述第二钝化层的一侧开设PI孔，在所述牺牲层和所述PI孔远离所述第二钝化层的一侧制作形成桥墩结构使得所述桥墩结构与所述第二引出电极接触；

释放所述牺牲层得到微桥结构。