[发明专利]半导体器件与其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供具有源区和漏区的半导体预备体；

在所述源区和/或所述漏区的裸露表面上依次叠置设置至少两个金半单元，各所述金半单元沿远离所述半导体预备体的方向上依次包括半导体层和金属层，其中，各所述半导体层的材料独立地选自GeSi、Si或Ge，多个所述金半单元中，与所述半导体预备体距离最小的所述金半单元为第一金半单元，所述第一金半单元包括第一半导体层和第一金属层，所述第一金属层的金属的功函数小于其他的所述金属层的功函数；

对设置有多个所述金半单元的所述半导体预备体进行热处理，使得所述半导体层的至少部分材料和相邻的所述金属层的部分材料之间发生反应，形成至少三个金属半导体化合物层。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一金属层中的金属的功函数在2.0～4.3eV之间，其他的所述金属层的金属的功函数在4.3～5.65eV之间。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所有的所述金半单元的总厚度在5～10nm之间。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一金属层的厚度在1～3nm之间，其他所述金属层的厚度在3～5nm之间。

5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，同一个所述金半单元中，所述半导体层的厚度与所述金属层的厚度的比值在0.9～1.1之间。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述金半单元有两个，所述源区与所述漏区的材料均包括P型掺杂的GeSi，各所述半导体层的材料包括Si，所述半导体预备体还包括衬底，所述源区和所述漏区位于所述衬底内，所述衬底的材料包括N型掺杂的GeSi。

7.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件采用权利要求1至5中的任一项所述的制作方法形成。

8.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件采用权利要求1至5中的任一项所述的制作方法制作而成，所述半导体器件包括：

具有源区和漏区的半导体预备体；

沿远离所述半导体预备体的方向上依次设置的多个金属半导体化合物层，各所述金属半导体化合物层设置在所述源区和/或所述漏区的表面上，多个所述金属半导体化合物层中，与所述半导体预备体距离最小的所述金属半导体化合物层为第一金属半导体化合物层，所述第一金属半导体化合物层中的金属的功函数小于其他的所述金属半导体化合物层中的金属的功函数，各所述金属半导体化合物层中半导体材料独立地选自GeSi、Si或Ge。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述第一金属半导体化合物层中的金属的功函数在2.0～4.3eV之间，其他的所述金属半导体化合物层的金属的功函数在4.3～5.65eV之间。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述金属半导体化合物层有三个，所有的所述金属半导体化合物层的总厚度在5～10nm之间。