[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，包括下布线；

第一层间绝缘膜，设置在所述衬底上并且包括第一区域以及在所述第一区域上方的第二区域；

蚀刻停止膜，位于所述第一层间绝缘膜上；

第二层间绝缘膜，位于所述蚀刻停止膜上；

第一上布线，位于所述第二层间绝缘膜、所述蚀刻停止膜、以及所述第一层间绝缘膜的所述第二区域中，并且所述第一上布线与所述下布线间隔开；以及

通孔，位于所述第一层间绝缘膜的所述第一区域中，并且所述通孔将所述下布线与所述第一上布线相连，

其中，所述第一上布线包括位于所述第二层间绝缘膜中的第一部分、以及位于所述蚀刻停止膜和所述第一层间绝缘膜的所述第二区域中的第二部分，并且

所述第一上布线的所述第二部分的侧壁包括台阶形状。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述第一层间绝缘膜的所述第二区域与所述蚀刻停止膜之间的边界处，所述第一上布线的所述第二部分在所述第一层间绝缘膜的所述第二区域中的第一宽度小于所述第一上布线的所述第二部分在所述蚀刻停止膜中的第二宽度。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一上布线包括在第一方向上延伸的短边，

其中，所述第一宽度和所述第二宽度是在所述第一方向上测量的值，并且

其中，所述第一方向是平行于所述衬底的上表面的方向。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一上布线的所述第二部分在所述第一层间绝缘膜的所述第二区域中的侧壁包括与所述第一上布线的下表面的参考点间隔开第一距离的第一点、以及与所述参考点间隔开小于所述第一距离的第二距离的第二点，并且

所述第一上布线的所述第二部分在所述第一点处的宽度大于所述第一上布线的所述第二部分在所述第二点处的宽度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一上布线包括在第一方向上延伸的短边、以及在与所述第一方向相交的第二方向上延伸并连接到所述短边的长边，

其中，在所述第一层间绝缘膜的所述第二区域与所述蚀刻停止膜之间的边界处，所述第一上布线的所述第二部分在所述第一上布线的所述第二区域中在所述第一方向上的第一宽度小于所述第一上布线的所述第二部分在所述蚀刻停止膜中在所述第一方向上的第二宽度，

其中，在所述第一层间绝缘膜的所述第二区域与所述蚀刻停止膜之间的边界处，所述第一上布线的所述第二部分在所述第一层间绝缘膜的所述第二区域中在所述第二方向上的第三宽度小于所述第一上布线的所述第二部分在所述蚀刻停止膜中在所述第二方向上的第四宽度，并且

其中，所述第一方向是平行于所述衬底的上表面的方向。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第二上布线，位于所述第二层间绝缘膜和所述蚀刻停止膜中，所述第二上布线与所述第一上布线间隔开，并且所述第二上布线设置在所述第一层间绝缘膜的所述第二区域上，并且

其中，从所述衬底的上表面到所述第一上布线的下表面的第一高度小于从所述衬底的所述上表面到所述第二上布线的下表面的第二高度。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一上布线包括在第一方向上延伸的短边、以及在与所述第一方向相交的第二方向上延伸并连接到所述短边的长边，

其中，所述第一上布线的所述第二部分在所述第一层间绝缘膜的所述第二区域中在所述第一方向上的宽度在从所述第一上布线的上表面朝向所述第一上布线的下表面的方向上减小，并且

其中，所述第一上布线的所述第二部分在所述第一层间绝缘膜的所述第二区域中在所述第二方向上的宽度在从所述第一上布线的所述上表面朝向所述第一上布线的所述下表面的方向上减小。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一层间绝缘膜的所述第一区域中包括的材料的介电常数不同于所述第一层间绝缘膜的所述第二区域中包括的材料的介电常数。