[发明专利]数据访问方法、装置、计算机可读存储介质及系统有效

专利信息
申请号: 201811292458.3 申请日: 2018-10-31
公开(公告)号: CN109407993B 公开(公告)日: 2022-05-27
发明(设计)人: 林寅;吴大畏;李晓强;黄慧 申请(专利权)人: 深圳市硅格半导体有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 代理人: 胡海国
地址: 518000 广东省深圳市南山区科技南*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 数据 访问 方法 装置 计算机 可读 存储 介质 系统
【说明书】:

发明公开了一种数据访问方法,包括:在接收到数据访问指令时,将所述数据访问指令转换为对应的物理逻辑搜索地址;根据所述物理逻辑搜索地址在预设的数据缓存表中获取基于所述数据访问指令对应的目标数据存储地址;读取获取到的所述目标数据存储地址以加载对应的目标数据,并读取加载到的所述目标数据。本发明还公开了一种数据访问装置、计算机可读存储介质及系统。本发明读取数据时根据已存储的物理逻辑地址将数据访问指令的数据内容直接转换为物理逻辑搜索地址直接在数据缓存表中搜索对应的目标数据并读取,以通过一次读取操作即可实现数据访问工作进而提高数据访问效率的有益效果。

技术领域

本发明涉及数据存储的技术领域,尤其涉及一种数据访问方法、装置、计算机可读存储介质及系统。

背景技术

目前的SSD由于需要保存大量的逻辑转物理表(L2P表),因此需要SSD主控带大容量的SRAM或者DDR,这无疑会提高SSD主控的成本,但是如果不带DDR(DDR-Less),则需要将逻辑转物理表(L2P表)保存到Nand Flash中,在Read Data时则需要从Nand Flash先将L2P表先Load到一个特定的Buffer中,然后在Buffer中找到该Data对应在Nand Flash的物理位置,再去NandFlash中将Data读出,从上述描述读者可以看出来,原本只需要读一次的流程,现在需要读两次甚至更多次(多层逻辑转物理表的结构)才能将正确的数据读出,这无疑会严重影响到Read的性能。

上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案,并不代表承认上述内容是现有技术。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种数据访问方法,旨在解决现有技术的SSD数据存储的原因,在读取SSD中的数据时需要读多次才能读出数据降低了数据访问效率的技术问题。

为实现上述目的,本发明提供一种数据访问方法,包括以下内容:

在接收到数据访问指令时,将所述数据访问指令转换为对应的物理逻辑搜索地址;

根据所述物理逻辑搜索地址在预设的数据缓存表中获取基于所述数据访问指令对应的目标数据存储地址;

读取获取到的所述目标数据存储地址以加载对应的目标数据,并读取加载到的所述目标数据。

优选地,所述读取获取到的所述目标数据存储地址以加载对应的目标数据,并读取加载到的所述目标数据的步骤,包括:

根据所述目标数据存储地址的指向位置加载所述目标数据;

在确认所述指向位置为缓存数据存储区域时,在所述缓存数据存储区域读取所述目标数据;

在确认所述指向位置为数据存储器时,将所述目标数据从所述数据存储器加载至缓存数据存储区域,并在所述缓存数据存储区域读取所述目标数据。

优选地,所述在确认所述指向位置为数据存储器时,将所述目标数据从所述数据存储器加载至缓存数据存储区域,并在所述缓存数据存储区域读取所述目标数据的步骤之后,还包括:

根据所述目标数据在所述缓存数据存储区域的存储地址,生成基于所述目标数据的目标数据存储地址;

以新生成的所述目标数据存储地址更新所述预设的数据缓存表的目标数据存储地址。

优选地,所述在确认所述指向位置为数据存储器时,将所述目标数据从所述数据存储器加载至缓存数据存储区域,并在所述缓存数据存储区域读取所述目标数据的步骤,还包括:

在所述缓存数据存储区域新增数据缓存位置,并以新增的所述数据缓存位置存储加载到的所述目标数据。

优选地,所述在所述缓存数据存储区域新增数据缓存位置,并以新增的所述数据缓存位置存储加载到的所述目标数据的步骤,包括:

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